高频DDR性能诱人 OCZ公布最新DDR550

　　一般来讲，高速内存只能在保守的时序设置下才能够正常工作，这是受DRAM技术天性所决定的。显然，过高的潜伏期严重影响了内存子系统的工作效能。但这样的局面有望被打破，OCZ近日公布了世界首款CL2.5设置的550MHz DDR内存。

　　OCZ这款PC440 Limited Edition Gold EL DDR内存频率550MHz，时序设置为CL2.5 4-4-8，这比一般的533MHz的设置还要高，但OCZ方面并没有详细透露该内存所采用的芯片颗粒。

　　该内存工作电压为2.85v，而目前市场上能够提供该电压的主板并不是很多，OCZ官方推荐使用P4C800和P4C800-E主板，能够完全发挥双通道PC4400 Limited Edition Gold EL DDR内存的性能。

　　当前高频率的DDR内存已经给DDR2内存带来很大压力，Hynix日前也表示将开始大规模生产550MHz DDR颗粒，此举可能会导致这类内存产品价格上的下调。由于DDR2具有潜伏期长的缺点，所以其性能相比同频率DDR内存并无太大提高，而高频率的DDR内存则具备更高的性能，成为用户更好的选择。