DRAM芯片价格变动 各路厂商神经紧绷

    【泡泡网内存频道3月26日】NAND Flash合约价格从去年底触底反弹，据市调机构指出，尽管上游业者控制产能有成，但时序已经步入传统淡季，不利价格走扬，而下游业者现在则必须面对成本压力，且终端应用产品的contentpersystem(平均单一产品容量)的升级速率也将延迟。

    以主流的16Gb与32Gb为例，16Gb颗粒价去年12月上旬合约价为1.65美元，今年3月上旬已达到3.15美元，平均涨幅达到91%；而32Gb颗粒合约价格也由去年12月上旬的3.62美元涨到今年3月上旬的5.98美元，平均涨幅也达到65%，DRAMeXchange认为对于NAND Flash上下游厂商而言，价格快速攀升显示市场策略历经调整。

    目前上游NAND Flash供货商以暂缓新晶圆产能扩充或渐进地淘汰部份200mm设备，以降低产能利用率，部份厂商也以提升制程技术来做为NAND Flash位产出量的增长方式，以降低传统淡季效应冲击，并因应全球经济不景气。

对下游厂商而言，短期内面对NAND Flash价格大幅攀升，加上整体需求不佳，对既有产品与市场规划带来冲击，去年因为NAND Flash价格持续下跌，舒缓成本压力，并可藉由容量倍增以刺激终用户购买意愿，今年因为NAND Flash价格遽升，去年的情况恐不易重演。

    对上游业者而言，去年年中后，NAND Flash价格不断下跌，除由于总体经济不佳，影响终端消费者买气外，各项与NAND Flash相关产品的平均搭载容量，也已经超过一般消费者的实际需求，从去年下半年开始，如何诱发消费者的购买意愿，成为一项重要的课题。

    此外，过去几年来，上游大厂皆处于稳定获利阶段，虽然有更多NAND Flash供货商加入市场，使平均获利下降，但整体而言，各厂仍处于获利的状况，因此，如何在市况低迷的情况下逆势投产，以增加市占率成为过去各厂相互竞争的目标。

    但是，争夺市占率的状况在去年第四季后改观，不论是三星(Samsung)、东芝(Toshiba)或美光(Micron)都面临巨额亏损，因此，各厂的营运重心转为如何确保获利，近期上游厂商纷纷对产出进行调整，藉由减少供给以稳定甚至提升价格，这样的策略已经达到初步成效。

    3月下旬NAND Flash合约价方面，大致以平盘开出，DRAMeXchange表示近期多空因素相互影响使价格呈现拉拒，短期急单效应及中国市场的库存回补需求将有助于稳定NAND Flash价格，但季底降低库存、供货商制程技术升级使成本下降，让价格面临回软压力，预期NAND Flash合约价短期内呈现部份持平或微幅走软。■