说到Phenom II，就不得不提一提AMD全新的45nm工艺。这颗基于45nm工艺制作的处理器依旧采用了改良型的Stars架构，不过由于制程和缓存的提升，无论在功耗还是性能上都有不俗的表现，究竟这颗号称性能最高提升35%，功耗最高降低35%的AMD产品有何特别之处呢？让笔者为大家一一解答。

    采用45nm SOI沉浸式光刻制造技术

　　AMD的45纳米制程工艺是联合IBM一同研发的。有趣的是，与英特尔的高-K金属栅极不同，AMD和IBM的技术是超低K电介质互联。而另两项相关技术分别是：多重增强晶体管应变技术和沉浸式平板印刷术。

　　简单来说，多空、超低K电介质可以降低串联电容、降低写入延迟和能量消耗，从而明显提升性能功耗比；而沉浸式平板印刷术，实际上就是在激光蚀刻头的中间加入一种特殊的液体来修正光的折射，从而让其在晶圆上更好的刻录晶体管。用这种工艺设计生产的SRAM芯片可获得大约15％的性能提升。真正解决AMD在 45纳米技术难题的是多重增强晶体管应变技术，AMD和IBM称，与非应变技术相比，这一新技术能将P沟道晶体管的驱动电流提高80％，将N沟道晶体管的驱动电流提高24％。

    从实际Phenom II产品来看，AMD本次的45nm SOI沉浸式光刻制造技术非常成熟，产品的起跳主频比较高，轻松的突破了3GHz大关。通过之前不少第三方泄露的超频成绩来看，基本此技术的Phenom II可以通过液氮成功超频至6G大关，并顺利的运行各种游戏。相比较之下，Core i7 965处理器虽然被超频到5.7G，但是无法运行程序，除去架构原因外，AMD处理器在这次的主频之争中和英特尔会上演一场好戏，不会再让Intel在超频中唱独角戏。