谁能满足i7胃口？三通道DDR3内存横评

第一章/第三节 DDR3内存的优势：低功耗低发热

    通过8bit预取技术，DDR3内存的有效频率在DDR2的基础上再次翻倍，延续了SDR/DDR的生命。但DDR3并非是片面提升频率从而得到高带宽，实际上DDR3除了高频率之外，还有很多不为人知的优点。

● 工作电压从1.8V降至1.5V，频率翻倍的同时功耗下降20-30%

    众所周知，半导体芯片的功耗与晶体管数成正比，与工作电压的平方成正比，所以电压对其功耗与发热的影响最大。和CPU/GPU的发展类似，DRAM在提高频率和容量的同时，电压也在不断的降低。DDR1的标准电压为2.5V、DDR2下降至1.8V、DDR3则进一步压缩至1.5V。

    理论上来说，同频率下DDR3会比DDR2省电达30%之多，这里需要强调的是，DDR3-1600的核心频率与DDR2-800是相同的(都是200MHz)，DDR3的IO频率虽然翻了一倍但对功耗发热的贡献不大，此消彼长之后DDR3-1600比DDR2-800省电23%！

    但是，在DDR3发展初期，很多内存厂商为了片面追求高频率，推出过不少高压高频内存条，默认1.8V-2V甚至2.2V的内存都有，这些内存的功耗与发热显然不会比DDR2低，这也就导致大家对DDR3产生不好的印象。

● 使用更先进的工艺制造，容量翻倍的同时功耗再降

    时代在发展工艺在进步，DDR3作为最新产品自然会使用非常先进的工艺制程，与早期6Xnm工艺的颗粒相比，新投产的5Xnm可以将DRAM颗粒的功耗再降33%，还不到DDR2的一半！

    经常关注笔记本的朋友应该会发现2008下半年很多品牌都开始标配DDR3内存，笔记本领先台式机开始普及DDR3，虽然笔记本CPU尚无法利用到DDR3内存的巨大带宽，但超低的功耗是非常诱人的，一些专为笔记本设计的内存将电压进一步降至1.35V，功耗仅为DDR2的37%，确实不可思议！

● DDR3的最大误区：相对延迟变大，绝对延迟变小

    在DDR3发布初期，由于其性能表现并没有想象中的那么好，所以很多人认为DDR3被它较高的延迟拖了后腿，事实上这个论调在DDR2初代内存身上也出现过，并不稀奇。那么DDR3真的是延迟太高影响性能了吗？

    DDR3的I/O频率相比DDR2有了成倍的增加，为了保证高频率下数据精确的传递，DDR3的总体延迟相比DDR2有所提高。这些延迟的提高会一定程度上造成内存性能下降，但绝不会超过高频率带来的性能提升。事实上除了理论CL值这些延迟之外，内存真正的延迟还与工作频率有关：

    片面地认为CL数值大就是DDR3延迟表现不及DDR2，是完全错误无知的观念。事实上，JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的 CL6-6-6，其内存延迟均为15ns。

    内存实际延迟 = CL值*1000/IO频率

    通过公式代入计算就能得出，DDR3-1066 C7、DDR3-1333 C8、DDR3-1600 C9的实际延迟都要低于DDR2默认的15ns，和主流的DDR2-800 C5差不多。不论DDR2还是DDR3都有高频低延迟的型号，DDR3依然占据上风。因此消费者以CAS数值当成内存模块的延迟值是不正确的。