英特尔工艺展望：2022年迈向4nm制程

     其中有关半导体制造工艺的展望引起了我们的特别关注。近十几年来，Intel以每两年升级一次的速度从0.25微米(um)一路走到了45纳米(nm)，中间历经了0.18微米、0.13微米、90纳米、65nm等四个世代，并带来了多种技术革新，比如晶圆尺寸从200毫米到300毫米、内部互联材料从铝到铜、通道从硅到应变硅、栅极电介质从二氧化硅到高K材料、栅极电极从多晶硅到金属……

    等到2010年初，32纳米就将成为现实(也就是Westmere家族的Clarkdale和Arrandale双核心处理器)，再往后仍然是两年一次升级，相继经过22纳米、16纳米、11纳米、8纳米、6纳米，直到13年后的2022年达到4纳米。当然了，这一过程仍会涉及大量技术进步，而且更加复杂、先进，比如晶体管会从平面型转向FinFET三维型。

    很显然，Intel对延续摩尔定律充满了信心，不过这更像是一种愿景，具体发展进程还要边走边看了，毕竟半导体行业面临的挑战会越来越大。■