英特尔精尖制造日！全球晶体管密度最高的制程工艺

    英特尔精尖制造日在今日如期举行，在今日的大会上，公布了英特尔制程工艺的重要进展，同时还首次展示了 10nm 的晶圆以及首款面向数据中心应用的64层 NAND 固态硬盘，整个会上可以说是干货满满，下面就为大家解读一下大会的几点关键问题。

摩尔定律不会失效！

   英特尔公司执行副总裁 Stacy Smith 先生首先谈到了关于摩尔定律的问题，在现如今最多的讨论就是摩尔定律是否已经不再重要了，甚至有一天会终结。这个问题我想分为两个层面为大家做出解释。

    首先是物理层面，提到摩尔定律，大家首先会想到的就是处理器制程中的16nm、14nm和10nm等等，在这个数字越来越小的同时，不禁让所有人疑惑，是否有一天会到达物理极限，Smith 先生表示至少目前还看不到终点。在1990年时，晶体管大小达到193nm时，物理学界指出不可能再前进了，但现在的制程比当时要小20倍，这是得益于英特尔不断地创新和实施多种备选方案的结果，同时英特尔也一直在前瞻后三代制程，因此对未来依旧是充满信心。

    另一层可以说是精神层面的，摩尔定律内容的实质含义同样适用在其他行业和领域，进行不断地努力和突破，从而产生经济效益，使摩尔定律成为全球经济的根本动力，通过逐年提升能力，可以多快好省地利用计算演进周期来解决全球范围内的重大问题，从而让生活更美好。因此，从这一层面来看，摩尔定律在可预见的未来中不会终结。

全球首次展示 Cannon Lake 10nm晶圆

    在会上，Stacy Smith 先生在全球范围内，首次展示了“Cannon Lake”10nm 晶圆，采用超微缩技术，拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，实现了行业内最高的晶体管密度。

发布首款面向数据中心的64层 TLC 3D NAND 固态硬盘

    英特尔公布了业内首款面向数据中心的64层、三级单元（TLC）3D NAND 固态硬盘。推出优化的3D NAND浮栅架构和制造工艺，是英特尔在存储领域30年的专业积淀，再加上制程领先性，能够快速把64层TLC 3D NAND 技术进行组合。产品将在今年年底大范围地上市。

全球晶体管密度最高的制程工艺

    相信众多朋友被市场上各个厂商杂乱的14nm和10nm搞得一头雾水，在今天的会上，英特尔高级院士 Mark Bohr 先生详细为我们解答了这个问题。一些厂商对于制程节点名称的命名不准确，背离了摩尔定律，即使晶体管密度增加很少甚至是没有增加，仍用新一代节点命名，这也是让我们迷惑的主要原因。

    因此，就需要一个衡量工艺制程水平的准则，那就是晶体管密度。Mark Bohr 先生展示了一个被广泛接受的晶体管密度公式，这个公式适用于任何制造商的任何芯片，能够明确标准地测量晶体管密度，通过这个指标就能改善制程节点命名的乱象。

    放上这张图，相信大家就都明白了，关于芯片的一些重要参数在上面都有所体现，英特尔在制程工艺上可以说是全面压制，领先对手整整一代，拥有着全球晶体管密度最高的制程工艺。换句话说，只有英特尔的10nm是最真实的存在。

更全面的晶圆代工业务生态系统

    英特尔的晶圆代工业务在不断发展，时至今日，英特尔可以为客户带来协同优化程度最高的平台技术和IP，能够提供出垂直集成的“一站式商店”，广泛的封装产品组合和一套完整的测试服务，让客户享受到全面的服务。■

本文编辑：苑静涵

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