探问索尼 揭开Exmor R技术背后的秘密

日媒拜访索尼研发：欲揭背照式CMOS迷团

    泡泡网数码相机频道9月27日 索尼的Exmor R CMOS 是去年以来第二种投入大规模商业应用的新概念影像传感器，而且和稍早搭载在F200EXR上投入市场的Super CCD EXR传感器相比，Exmor R CMOS无疑在硬件层面作出的改动幅度更大，更冒险——有一点毫无疑问，为了打破传统影像传感器造成“画幅”决定“画质”的现有局面，为了让高成像质量，高性能，但体积小巧便携，价格低廉的消费型数码相机能真正走入寻常人家。两个敢于冒险应用新型传感器的厂商都是值得尊敬的！

    附：本文系翻译整理自国外专业媒体，不代表本站观点，仅供国内感兴趣的读者参考。

Exmor R 传感器因为其革命性的极富前途的新结构，而成为当前数码影
像核心技术层面上最耀眼的明星，其实际性能潜力也引起了广泛关注

    此前，通过相对售价平易近人的F200EXR和F75EXR，前卫的消费人群已经对EXR技术有了相当的了解。相比之下，在TX1和WX1近期面市之前，仅在高级消费DV上出现过Exmor R 背照射式CMOS依然显得有些“玄妙”，人们并不确知它能给实际应用带来多大的好处，也不知道为了这项新技术出现在批量生产的相机上，工程师将面临怎样的挑战！带着这些问题，日本媒体于前不久采访了索尼半导体及影像传感器的相关研发部门，希望能够在那里获得一些线索！

    接受日本媒体采访的索尼官员包括半导体事业部产品部总经理宏道松井，和半导体部门研发部副主任平山郁夫两位先生。而记者们首先提出的问题，就是希望索尼透露一下这块“背照射式CMOS传感器”的研发细节：

    平山郁夫（以下简称平山）：（关于开发Exmor R技术既背面照射式CMOS技术的初衷）：CMOS由于自带了放大电路和数模转化电路，所以光电二极管表面的线路链接层往往多达2层甚至3层，这就使其光电2级管距离色彩滤镜更远（与CCD相比），而且这些线路连接层还会阻塞从色彩滤镜到达光电二极管的光路。因此，在实际应用中，现有CMOS传感器的灵敏度甚至弱于以往的CCD系统。此次，开发背面照射式CMOS技术的目的就是从硬件结构层面上彻底解决这个问题。

来自索尼研发部门的平山先生和松井先生

    日媒：能否透露一下背面照射式（Exmor R CMOS）的结构特征

    平山：和现有CMOS传感器相比，Exmor R CMOS的光电二极管（光线的接受端）和（传感器芯片上的)线路连接层的位置完全被颠倒过来。形成光电二极管在上，线路层在下的布局。这样，在拍摄时，光线通过芯片表面的色彩滤镜，微透镜后到达CMOS传感器的路线就大大缩短。而且，不再受到以往覆盖在光电二极管表面的各种线路连接层的遮挡和干扰。入射光线的利用率就大大的提升了。这样，我们就能够充分的发扬CMOS半导体材料在信噪比方面（理论上）的优势。