直逼4870/260！HD5770发布性能抢先测

    取下散热器，来看看HD5770的做工用料如何：

与正方形的RV870不同，RV840是长方形的，核心面积刚好是RV870的一半

    现代H5GQ1H24AFR-T2C，使用54nm工艺制造，默认电压仅1.5V，理论速度高达2.5GHz（等效5GHz），8颗组成1GB 256Bit的规格（实际为128Bit），HD5770的默认显存频率为4800MHz，与HD5870相同，但5870用的是三星颗粒。

    供电部分为3+1+2相，其中核心三相为传统的固态电容+铁素体电感的PWM设计，核心I/O（显存控制器及输出模块）为单独的一相数字供电，位于PCB前端，显存为两相数字供电。看来高频GDDR5对供电电流的纯净与稳定性提出了很高的要求，而核心流处理器部分只要电流足够大即可，要求没那么苛刻。