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MicroATX不再低端 两款小板型P55对比

Core i5-750  8GB内存

    我们在空冷散热下,将Core i7-750最高超频到205Bclk,CPU倍频为20X,此时CPU主频为4.1GHz,核心电压为1.357V,VTT电压为1.37V,PLL电压为1.80V,内存电压为1.66V。

    当将CPU倍频降为19X时,Bclk最高可达到215MHz。此时VTT电压需要1.41V,PLL电压需要1.86V,内存电压则加到了1.70。


Core i7-860  8GB内存

    i7-860在最高主频方面要略高于i5-750,达到了21x205=4.3GHz,此时核心电压为1.375V,内存电压1.66V,VTT电压1.39V,PLL电压1.86V。

Core i7-870  8GB内存及4GB内存

    i7-870与860在主频上基本相当,也达到了4.3GHz,此时核心电压为1.375V,内存电压1.66V,VTT电压1.41V,PLL电压1.80V。

    我们又将CPU设置为200*21=4.2GHz,将内存倍频设为6,最终将内存超频到DDR3-2400,此时时序为9-10-9-24,内存电压为1.66V。

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