3GHz+！三星将基于5nm/7nm打造采用ARM A76架构的IP

三星的7nm工艺，选择直接导入先进的EUV（极紫外光刻）技术，由此在进度上稍显吃亏，尤其是落后自己的“宿敌”台积电。

在6月初ARM宣布新的Cortex A76公版架构时，样片就是由台积电的7nm打造，当时频率最高达到了3.3GHz，参考值也达到了3GHz。

这种局面，三星当然不会坐视。

7月5日，三星电子在韩国举办的铸造论坛期间宣布，和ARM（安谋）的战略级代工合作推进到7nm/5nm上。具体来说，由三星7nm LPP和5nm LPE打造的A76芯片可以实现3GHz以上的频率。

台积电版ARM A76性能效果图

三星还透露，7LPP将从2018年下半年开始早期生产，采用EUV技术的IP预计明年上半年完工。

除了CPU和GPU，三星还拿到了ARM的Artisan physical IP授权，包括全套的内存编译器、1.8V/3.3V通用输入输出库等等，可加速开发过程、优化开发结果。

另外，三星还确认其路线图推进到了3nm GAAE（Gate-All-Around Early）工艺。

那么问题了，除了Exynos，三星的7nm A76芯片会有高通、华为这些客户吗？