5V输出变化2%

3.3V输出变化2.42%

    3.3V和5V的输出和12V相比表现差一些，变化程度在2%-2.42%，电压浮动控制在1-3%之内我们都用较好来形容。

    原本这一页要放上3.3V、5V和1-4路12V输出的纹波变化图，但这款电源比较例外，在测试中我们发现纹波中的噪音成份很大，已经到了影响结果的程度，和GT的工程师沟通后知道我们应该解决示波器探头接地的问题，不过这需要时间和空间，一时也解决不完，所以这一页放上一些问题波形，感兴趣的网友一起来看。

20%和50%负载下的12V纹波

    每次开关管开通和关闭时都有较高的噪音产生，而且大小变化也不一样，所以Vpp的值也没有太大参考价值。

100%负载下12V的纹波

    不过在100%负载下的波形还是有参考价值的，因为噪音已经基本被淹没了，从图中看满载时纹波大约在90mV左右。这个表现略低于Intel的电源规范，是合格的。

100%负载下5V输出纹波

    不过针对5V输出来说，即便电源满载，噪音值也较大，不过从上图看，即便接地线过长引入了噪音，但也没超过40mV，凭感觉看，这路纹波抑制应该不错。 

100%负载时3.3V的纹波

    在满载时如果直接读数，3.3V是超标的，但这是因为我们设备的不足造成的。有些无奈……

    总的来看，在12V纹波抑制上可以有个大概的结论：合格。5V的纹波较好，3.3V看不出来是好是坏。

    这款电源的功率刚好是EPS标准中设定的最高功率值，所以参数不用自己设了，由于这款电源在二次侧采用了DC-DC的设计，所以电压的调节部分应该会非常不错，来看一下结果吧。

交叉负载测试

    图中标出了三个红点，大部分电源在这三个点上都会出些问题，这也是因为EPS在交叉负载测试上设定的界限实在很严格，如果是采用磁放大技术处理3.3V和5V输出的电源我们会适当调整左边的两个红点，但对于这款电源我们不会调整测试参数。

    在左边两个红点处3.3V和5V的电压为3.39V/5.17V和3.35V和5.14V，完全没有受12V低负载的影响。

    在右边红点处因为12V的负载非常重，所以有的电源会跑不起来，不过对这款电源来说还不错，12V电压为12.03V。

    总的来说侨威DSG系列的电源在交叉调节上的能力确实完美。

    这款电源采用了主动式PFC+CM6800X控制的双管正激+二次侧同步整流，3.3V与5V DC-DC的设计。电源身长16cm，对这个瓦数的电源而言功率密度较大。

电源内部整体结构

一级EMI滤波

    在交流电输入口上设置了一部分EMI滤波元件，一个X电容和一对Y电容安放在这里，地线接在外壳上，火线与零线引导PCB板上，因为这部分比较拥挤，为了防止短路，还用包裹了热缩管的刚片做了隔离，非常好。

二级EMI滤波

    另一部分EMI滤波安装在PCB上，三个共模电感，两对Y电容，一个X电容，一个热缩管包裹的浪涌吸收器，一个保险管，这是一个非常完整的EMI滤波电路。

    经过EMI滤波后就是干净的交流电了，接下来进入整流桥，这款电源的整流桥使用两枚并联的形式，每一片都贴覆在散热片上。

整流桥

    两片整流桥的型号都贴上了，看不到，不过从外形尺寸看很可能是每片10A以上的参数，余量很丰富。

主动PFC电路

    主动PFC部分使用了两个意法的STW43NM50N并联做开关，可以传输37A的电流，导通电阻85毫欧（挺低的），两颗在一起传输电流的能力超过额定输出950W非常多，并且也能提高转换效率。快速恢复二极管在主电容和散热片间，没有看清型号。

主电容

    主电容采用了一颗日本化工SMQ系680uF，85℃，400V耐压的产品，很不错的牌子，容量上也不小。PFC电感用绿色胶带绑好，线径有1mm，绕线非常密。

    主开关管使用了使用了两枚20N60C3组成双管正激的结构，它属于英飞凌较新的CoolMos C3系列产品，而且还是TO247的封装，这部分设计尽量考虑到降低导通电阻的措施。

主开关管

控制芯片

    控制PWM开关管和PFC开关管的控制器就在这个子板上，双列直插的封装，另一面写着型号：CM6800X。

变压器部分

    当连续的高压电流经过开关管被斩为方波后就送入变压器，图中的大块头的变压器输出12V的电流，待机变压器为5V待机输出和待机电路控制芯片提供电力。

待机电源开关管

    上面的开关管采用意法半导体3NK80Z是电源5Vsb一路输出所用的，5Vsb最常见的用途就是在关机时用USB口为我们的MP3、手机充电，一般来说这一路输出的电流在2A-4A之间，很少见到超过这个范围的。待机控制芯片为LD7535，有些待机控制器整合了开关管，不过这颗电源里是分立的。5Vsb输出的整流由紧挨着待机变压器的STPS20L60CT负责，可以传输10A电流，电源此路标称值为3A。

    经过变压器后所有的电压都降了下来，不过还是方波的形式，需要进行整流后才可以形成直流电，而就像刚才所说，能量形式的转变一定会有一些以热的形式损失。

    一般电源在这里使用肖特基二极管进行整流，因为肖特基管从开通到关断这一过程所需的时间很短（肖特基管不存在势垒外侧电荷储存问题），大约在ns级别，但耐压一般不超过100V，所以我们只能在二次侧找到肖特基管。

Mosfet 做整流

    而这款电源没有采用肖特基管做整流，原因在于这种二极管的损耗无法让电源达到90%的效率。他们改用Mosfet做整流。

    之所以称为同步整流是因为Mosfet的开通于关断要和被整流的信号同步，否则损耗会更大。五颗英飞凌的IPP034NE7N3G做同步整流，2颗做整流，3颗做续流，没有单独使用控制芯片，由变压器副边的信号来控制，导通电阻仅3.4毫欧。

同步整流图示

    上图中V1与V2就是整流和续流需要用到的两个Mosfet，原来两个二极管被他们取代了，在作用上和二极管是一样的，但损耗上却有区别。

二极管电流电压特性

    以上可以看到二极管并不是只要有电压就可以做到导通，必须达到一定值才可以，对于肖特基类型的二极管大约在0.4V左右。每导通一次如果都需要加电压，让载流子越过势垒，这其实就是在耗能，而且即便导通后，电流流过仍有导通电阻存在，两部分损耗加在一起，基本就是肖特基管开关时的损耗。

    而使用Mosfet就可以避免掉第一部分的损耗，而只留下了导通时电阻造成的损耗，而且如果这部分选择电阻较低的Mosfet损耗还会更小。这就是为什么很多金牌电源在二次侧输出使用同步整流的原因。

    在二次侧输出上不光使用了同步整流，在3.3V和5V输出中还使用了DC-DC的设计，两个板子一个负责3.3V的输出，一个负责5V的输出，实际上每个板子相当于一个使用同步整流的Buck降压变换器。

    而磁放大利用电感阻碍电流突变的特性把一部分电能转换为磁能，延迟了一个周期中的能量传输，与同步整流相比这却是一种损耗较大的做法。

DC-DC子板

    而DC-DC的转换就完全兼顾了转换效率和各路调节完全独立的优势。效率高的原因我们在同步整流中已经介绍过了。不过略有不同的是DC-DC中的整流是需要使用外部控制器的。

DC-DC子板上的芯片

    VRM小卡采用台湾茂达APW7073控制器，四颗MEN90N03，每路输出使用5颗固态电容与1个黑色铁氧体线圈做滤波，子板旁边的两个电感分别为3.3V与5V输出的储能电感。子板的输入为12V，使用这种结构的电源在变压器的绕线上也会简单不少。

    子板的背面是5颗滤波电容，因为控制器频率较高，所以输出滤波的两颗使用耐压6.3V，1500uF的容量就够了。从上图也可以看到输出接线的根部全部使用热缩管保护。

输出滤波部分

    输出滤波部分12V储能电感直径超过44mm，线径1mm，黑色磁芯，四枚日本化工KZE系的16V 2200uF的电容为12V滤波。

    编辑总结：

    这款电源的包装使用了半透明的银色塑料套，拿着感觉不错，好像始终在提醒我它是一颗拥有金牌血统的优质银牌电源，不过电源外壳并没有什么装饰，所以外观给75分。

    电源提供了足够多的供电口，我们可以这样形容：“可以满足有12块硬盘 + 3个机箱风扇 + HD 5870 CrossFire用户的需求”，但真说不准有人用3张显卡，那就不够用了，线材均是18AWG的规格并且用热缩管包裹，所以给82分。

测试总结

    这款80PLUS银牌电源在所有重要的功率部件都采用了知名半导体公司的器件，并且器件规格都比较不错，并留出了不少设计余量，内部的电容均是日系，非常不错。二次侧使用了同步整流和DC-DC的设计，这都为提高转换效率做了贡献，各部分的隔离保护也很留意，不过还是有些不尽人意的地方，比如整流桥旁边就为增加过流的能力飞了条线，所以这部分给90分。

    电压稳定性上，12V表现非常很好，3.3V和5V的输出较好，给85分。纹波抑制上由于设备能力有限不能反映全部的表现，但12V和5V还是能做出大概的判断，给75分。因为电源采用了DC-DC的设计，交叉负载一项上表现得非常出色，找不出扣分的理由，给100分。电源的转换效率超过了90%，所以转换效率上给90分。

    总分：85.3分<