40纳米2G DDR3内存获得Intel认证通过

    泡泡网内存频道11月21日 海力士最新发布消息显示，该公司采用40纳米制程生产的2GB DDR3内存模组第一通过英特尔公司认证。

    目前已经通过英特尔核准认证的内存产品包括4GB DDR3 SO-DIMM，2GB DDR3 UDIMM，两款内存频率都是1333MHz，电压1.5v。相比之下，海力士40纳米2G bit DRAM颗粒能耗比50纳米版本DDR3 DRAM颗粒要降低40%，产能提升60%。■