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三星突破80nm制程 推出2Gbit内存颗粒

  据HKEPC报道,韩国三星电子宣布其已经成功使用80nm工艺技术,制造出全球先进颗拥有高达2GBit容量的DDR 2内存颗粒。这项新的DRAM技术取得了很多突破性进展,包括3D晶体管技术,凹槽数组晶体管(RCAT),和新概念架构处理。出现于2003年的RCAT是三星公司一项独特的技术,它用于通过使用一种3D结构设计,来减少晶体管所占的体积。

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