天生悍将！32nm双核四线程新酷睿评测

   新酷睿必杀武器之二：32nm工艺业界技术领先

    Intel并没有把最新的32nm制作工艺率先用到旗舰级的Core i7上，而是直接运用到主流级的Core i3/i5，成为率先步入32nm的CPU处理器。

制造工艺永远是高性能芯片的参照标准之一，在更高的制造工艺下，在相同的单位面积下可以容纳下更多的晶体管，而晶体管数量的增多直接体现在了性能的提升方面。同时由于单位体积的减小，以及新材料的大量应用。更为先进的工艺制程下制造的芯片产品耗电量以及发电量也会得到很好的控制，这也是为什么新一代工艺制程的产品会比前一代产品在功耗上有很好表现的原因之一。

32nm工艺已经提及多次了，在这里我们还是简单的再来回顾一下，采用高k+金属架构栅极的45nm制程技术取得巨大成功之后，英特尔再接再厉推出了采用第二代高k+金属栅极的32纳米制程技术，目前已接近量产。这种新制程技术将用来制造英特尔Nehalem微体系架构的32nm版本-Westmere。

    据Intel英特尔高级院士Mark Bohr透露，32nm制程技术的基础是第二代高k+金属栅极晶体管。英特尔对第一代高k+金属栅极晶体管进行了众多改进。 在45纳米制程中，高k电介质的等效氧化层厚度为1.0nm。而在32nm制程中，此氧化层的厚度仅为0.9nm，而栅极长度则缩短为30nm。

    晶体管的栅极间距每两年缩小0.7倍——32nm制程采用了业内最紧凑的栅极间距。32nm制程采用了与英特尔45纳米制程一样的置换金属栅极工艺流程，这样有利于英特尔充分利用现有的成功工艺。这些改进对于缩小集成电路（IC）尺寸、提高晶体管的性能至关重要。采用高k+金属栅极晶体管的32nm制程技术可以帮助设计人员同时优化电路的尺寸和性能。

    Intel已经成功完成了32nm制程的研发工作，并且是业界第一家可以演示运行的32nm处理器的厂商，它采用第二代High-K和金属栅极晶体管技术，九个金属铜和Low-K互联层，其中的关键层会在Intel历史上首次应用沉浸式光刻技术，无铅无卤素，核心面积可比45nm减小大约70％，在性能方面提高超过22%以上。