拥有二代基因 微星P55-GD85多图赏析!

    微星独特技术之DrMOS

    微星科技近几年在主板的研发方面推出了多项独特的技术及设计，之前我们的介绍也只局限于宣传资料上的文字，而今天我们将比较详细的向大家介绍一下目前微星科技在主板的设计及用料方面有哪些独特之处。

    首先就是微星目前的当家技术——DrMOS。

    在讨论DrMOS之前，我们先要简单介绍一下刚才讨论过的一个名词——场效应管。场效应管MOSFET就是起到“开关”的作用。它可不是一般的开关，一秒钟开关频率要高达一万次！所以我们要看看MOSFET是如何进行开关的。

MOSFET——场效应管

    MOSFET的全称是：金属氧化物半导体场效应晶体管，英文全称是：Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor。MOSFET具有开关速度极快、内阻小、输入阻抗高、驱动电流小（0.1μA左右）、热稳定性好、工作电流大、能够进行简单并联等特点，非常适合作为开关管使用。

    主板经常采用的MOSEFT基本上有二大类：分立MOSEFT和整合MOSEFT。分立MOSEFT有二种封装：D型封装的，POWER型封装的。整合MOSEFT的代表则是DrMOS。

    分立式MOSFET：

分立式MOSFET的两种封装形式、实物以及结构图

    MOSFET管有三个电极，分别为源极（S）和栅极（G）；中间的为漏极（D），栅极是控制极，给栅极（G）高电位，MOSFET导通（开），低电位关闭（关）。

    MOSEFT的主要参数有三个：漏极（D）和源极（S）的最大电压，漏极（D）和源极（S）的最大导通电阻，漏极可通过的最大电流。这三个参数都是在最大电压下的最大值，当电压降低，以及温度偏高时，导通电流会减小。

    单MOSEFT一般采用一进二出结构，还要配驱动芯片，组成的供电电路称之为分立式电路，优点是成本相对偏低，缺点是电能转换效率低，费电。

    整合式DrMOS：

    Intel与2004年发布PC平台的DrMOS规范，2005年DrMOS问世，目前已经有十几家Power芯片厂商研发生产。

Intel DrMOS规范规定的DrMOS信号和芯片引脚

瑞萨科技研发的第二代DrMOS芯片R2J20602原理图

RJ20602的外形图

    DrMOS除了体积小安装小（分离式MOSFET的四分之一）以外，在转换效率、热功耗、工作频率以及寄生电感等方面都优于分立式供电设计。

    首先DrMOS由于把驱动IC和MOSEFT集成在一个芯片内，一体化设计，使驱动IC和MOSEFT更协调，经过设计优化，DrMOS可以工作在更高的频率。电流转换效率有很大提高。第2代DrMOS是目前市场上转换效率最高的MOSEFT。

    其次，DrMOS的热功耗很小，发热量很低。在同等条件下，温度要比分立式低40多度。

左图为分立式MOSFET工作温度，右图为DrMOS工作温度，两者相差近40摄氏度。

    接着，DrMOS比普通MOSFET的尖峰噪声低，输出电压更稳定。

左图为分立式MOSFET的尖峰电压，右图为DrMOS的尖峰电压，两者相差接近8V

    最后，DrMOS比普通MOSFET的瞬态响应时间短，响应CPU动态负载快，电流变化速度快。

DrMOS的瞬态响应时间要远小于分立式MOSFET

    其实DrMOS的好处也不是一句话两句话几张图能够让大家明白的，具体还是要在日常的使用过程中体现。接下来我们来看看微星主板目前所采用的另一项顶尖技术——Hi-C电容。