拥有二代基因 微星P55-GD85多图赏析!

    泡泡网主板频道1月15日 我们之前曾对华硕、技嘉以及卫星的三款二代P55主板产品进行过横向对比，华硕和技嘉的产品都已经早早的就上市了，而之前对于USB 3.0和SATA 6Gbps一直保持保守态度的微星，在年末的时候也推出了自家支持U3S6的产品，同时也是之前微星P55系列主板旗舰级产品的升级版——P55-GD85。

    今天这款产品抵达了评测室，让我们先来看看微星的二代P55与前代相比有何不同吧。

■ P55-GD85规格速读：

■ P55-GD80的升级版——P55-GD85

    这款产品其实在板型和走线上与之前的GD80没有什么特别明显的区别，只是在布局方面比GD80多出了两三颗大型芯片。

处理器供电部分，8+2相式供电+DrMOS的结合

内存插槽部分，可通过超频支持DDR3-2600，最高支持到16GB

  

供电相数指示灯，8相处理器+2相VTT

之前的V-Kit，现在已经跟更名为V-Check Points

存储部分，完整支持SATA 6Gbps并通过JMB363支持一个IDE通道

I/O方面与GD80布局一样，只是最后一组USB变成了3.0接口而已。

■ 通过PLX桥接方案支持U3S6

    接下来我们来看一下板载芯片部分。

首先就是PLX-PEX8608桥接芯片，USB 3.0和SATA 6Gbps的支持都离不开它

目前主板类产品USB 3.0唯一解决方案——NEC D720200F1芯片

支持蓝光音效的瑞昱ALC889音频芯片

威盛VT6315N火线芯片

两颗瑞昱RTL8111DL千兆网络芯片

实现一秒超频的OC Genie芯片

支持VRM11.1的uP6218AM PWM芯片

    白色的就是SATA 6Gbps接口，同时我们也可以看到之前的Direct OC按钮也由按钮变成了触摸式按键。

    微星独特技术之DrMOS

    微星科技近几年在主板的研发方面推出了多项独特的技术及设计，之前我们的介绍也只局限于宣传资料上的文字，而今天我们将比较详细的向大家介绍一下目前微星科技在主板的设计及用料方面有哪些独特之处。

    首先就是微星目前的当家技术——DrMOS。

    在讨论DrMOS之前，我们先要简单介绍一下刚才讨论过的一个名词——场效应管。场效应管MOSFET就是起到“开关”的作用。它可不是一般的开关，一秒钟开关频率要高达一万次！所以我们要看看MOSFET是如何进行开关的。

MOSFET——场效应管

    MOSFET的全称是：金属氧化物半导体场效应晶体管，英文全称是：Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor。MOSFET具有开关速度极快、内阻小、输入阻抗高、驱动电流小（0.1μA左右）、热稳定性好、工作电流大、能够进行简单并联等特点，非常适合作为开关管使用。

    主板经常采用的MOSEFT基本上有二大类：分立MOSEFT和整合MOSEFT。分立MOSEFT有二种封装：D型封装的，POWER型封装的。整合MOSEFT的代表则是DrMOS。

    分立式MOSFET：

分立式MOSFET的两种封装形式、实物以及结构图

    MOSFET管有三个电极，分别为源极（S）和栅极（G）；中间的为漏极（D），栅极是控制极，给栅极（G）高电位，MOSFET导通（开），低电位关闭（关）。

    MOSEFT的主要参数有三个：漏极（D）和源极（S）的最大电压，漏极（D）和源极（S）的最大导通电阻，漏极可通过的最大电流。这三个参数都是在最大电压下的最大值，当电压降低，以及温度偏高时，导通电流会减小。

    单MOSEFT一般采用一进二出结构，还要配驱动芯片，组成的供电电路称之为分立式电路，优点是成本相对偏低，缺点是电能转换效率低，费电。

    整合式DrMOS：

    Intel与2004年发布PC平台的DrMOS规范，2005年DrMOS问世，目前已经有十几家Power芯片厂商研发生产。

Intel DrMOS规范规定的DrMOS信号和芯片引脚

瑞萨科技研发的第二代DrMOS芯片R2J20602原理图

RJ20602的外形图

    DrMOS除了体积小安装小（分离式MOSFET的四分之一）以外，在转换效率、热功耗、工作频率以及寄生电感等方面都优于分立式供电设计。

    首先DrMOS由于把驱动IC和MOSEFT集成在一个芯片内，一体化设计，使驱动IC和MOSEFT更协调，经过设计优化，DrMOS可以工作在更高的频率。电流转换效率有很大提高。第2代DrMOS是目前市场上转换效率最高的MOSEFT。

    其次，DrMOS的热功耗很小，发热量很低。在同等条件下，温度要比分立式低40多度。

左图为分立式MOSFET工作温度，右图为DrMOS工作温度，两者相差近40摄氏度。

    接着，DrMOS比普通MOSFET的尖峰噪声低，输出电压更稳定。

左图为分立式MOSFET的尖峰电压，右图为DrMOS的尖峰电压，两者相差接近8V

    最后，DrMOS比普通MOSFET的瞬态响应时间短，响应CPU动态负载快，电流变化速度快。

DrMOS的瞬态响应时间要远小于分立式MOSFET

    其实DrMOS的好处也不是一句话两句话几张图能够让大家明白的，具体还是要在日常的使用过程中体现。接下来我们来看看微星主板目前所采用的另一项顶尖技术——Hi-C电容。

    Hi-C电容——高导电聚合物电容

    Hi-C电容的英文全称是Highly-conductive polymerized Capacitor，中文叫做高导电聚合物电容。从上图看到是塑封帖片式的，看上去有点像钽电解电容，但实际并不相同。这种电容的阳极是烧结钽（或铝箔），阳极介质是氧化钽（或氧化铝），而阴极（电解质）是固态的、高导电聚合物。正由于电解质是高导电聚合物，使得它尺寸小而电容量大、ESR极低的特点。

    从上面的ESR值列表可以看出现在用于CPU供电电路最好的电容是Hi-C电容。普通液态电解电容的ESR在20毫欧以上，固态电容的ESR是5毫欧。Hi-C电容的ESR小于5毫欧。所以Hi-C电容优于固态电容。

    Hi-C电容的第二个优点是在有浪涌电流通过时，具有自恢复的功能，因此功率损耗非常低。

    接下来就是微星目前在其P55系列主板产品上广泛应用的散热技术——SuperPipe超级热管。

    SuperPipe——超级热管

    超级热管是一种更为合理与为优秀的热管散热理念，这种理念秉持着更好的散热材料，更好的散热设计，更好的周边配合才能带来更好的散热效果。

    

   

在微星P55-GD80以及P55-GD65主板上都可以看到这种散热设计

    超级热管会针对不同产品的需要以不同的形势出现，以微星P55-GD80为例，这款产品上的超级热管采用了采用了8mm直径的全铜散热导管，与市面上大部分的产品只有6mm的规格相较而言，8mm设计优势自然不言而喻。与传统的热导管相比微星的超热导在直径上要大出6mm产品60%,散热效果也要高出90%。

    蓝光音效与Power eSATA

    说到独特技术也就不得不提一下目前在其他主板上还比较少见的蓝光音效技术和Power eSATA技术。

    蓝光音效——源于瑞昱科技的ALC889音效芯片

    目前微星在其市场上的主流产品均采用载ALC 889优异音频芯片，这是目前Realtek所出品的最优异的板载音频芯片，也是市场上仅有的可以通过内容保护技术来支持蓝光高清机全速率播放的音频编码解码芯片之一。它提供了高音质的音效(DAC 108dB SNR, ADC 104dB SNR)，其数字模拟转换具有卓越的多声道能力，提供支持多组音效输出，能够在欣赏电影、线上游戏背景音效的同时享受7.1环场声道以及两声道的网络电话，为家庭娱乐的个人电脑提供了一个理想的选择。

    Power eSATA接口——持续供电不间断

    在存储接口中，eSATA虽然使用方便、速度飞快，但需要辅助供电是其致命伤，这也直接造成eSATA远没有USB 2.0、IEEE 1394那样普及。

    Power eSATA功能则是针对eSATA规范原本缺乏供电能力的缺点改良而来，只要耗电量不大的eSATA装置，都不必连接额外电源线即可使用，保留原本eSATA之高传输性能的同时，便利性亦大为增加。

    其实早在2008年初，SATA-IO组织就着手开始制定新的“Power over eSATA”规范，即使用同一条线缆传输数据和供电。简单地说，Power eSATA相当于eSATA与USB 2.0的综合体，集前者3Gbps的传输速度与后者的可直接供电特性于一身。

   

  

    微星早在之前AMD平台的旗舰产品——790FX-GD70上就是用了这种新一代接口，同时也在后期的P55系列产品上延续采用了这种接口。

    OK，目前这款主板的具体表现我们将在近期的P55横评中为大家进行展示，各位敬请期待咯。■<