Intel/AMD终言和！09年CPU十大关键词

● 09年CPU十大关键词："32nm"

制造工艺永远是高性能芯片的参照标准之一，在更高的制造工艺下，在相同的单位面积下可以容纳下更多的晶体管，而晶体管数量的增多直接体现在了性能的提升方面。同时由于单位体积的减小，以及新材料的大量应用。更为先进的工艺制程下制造的芯片产品耗电量以及发电量也会得到很好的控制，这也是为什么新一代工艺制程的产品会比前一代产品在功耗上有很好表现的原因之一。

32nm工艺采用高k+金属架构栅极的45nm制程技术取得巨大成功之后，英特尔再接再厉推出了采用第二代高k+金属栅极的32纳米制程技术，目前已全面量产。这种新制程技术将用来制造英特尔Nehalem微体系架构的32nm版本-Westmere。

    据Intel英特尔高级院士Mark Bohr透露，32nm制程技术的基础是第二代高k+金属栅极晶体管。英特尔对第一代高k+金属栅极晶体管进行了众多改进。 在45纳米制程中，高k电介质的等效氧化层厚度为1.0nm。而在32nm制程中，此氧化层的厚度仅为0.9nm，而栅极长度则缩短为30nm。

    晶体管的栅极间距每两年缩小0.7倍——32nm制程采用了业内最紧凑的栅极间距。32nm制程采用了与英特尔45纳米制程一样的置换金属栅极工艺流程，这样有利于英特尔充分利用现有的成功工艺。这些改进对于缩小集成电路（IC）尺寸、提高晶体管的性能至关重要。采用高k+金属栅极晶体管的32nm制程技术可以帮助设计人员同时优化电路的尺寸和性能。

    Intel 32nm产品已经全面上市，新的制程下处理器的能耗表现更为出色，同时在同一芯片上可以集成更多芯片。

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