高清游戏多面手 映泰"超节能"H55测试

■ “超节能II代”详解——关键数字：2258

    所谓“2258”其实就是映泰超节能II代的几个关键数字的组合——双倍散热、两个2.5以及一个8。那这写数字具体说的的又是什么呢？我们简单为大家介绍一下：

▲ 双面散热铜外壳

    现代电子设备在很大程度上依靠DC-DC变换器为其提供电源，在很多计算机、网络以及电信应用中，电流的要求已经打打超过了100A，而要达到这样的输出能力，需要多只MOSFET并联的多相式变换器才能实现，这样就带来了严重的布板拥挤以及功耗等问题。

钝化芯片的封装

    使情况变糟的就是持续减小尺寸的趋势——设计者发现越来越难以应付同时来自两个方面的要求：减小电路板面积和改善散热。在改进目前器件的热特性的过程中，标准的SO-8封装成为一个很大的障碍——它们很难加装散热器，只能单面散热，所以大部分热不得不通过PCB板散掉。量子芯技术所采用的由International Rectifier生产的DirectFET大大改变了现在这种尴尬的局面。

International Rectifier——国际整流器公司

    DirectFET是一项主要为板级功率应用而设计的表贴封装技术。它消除了器件封装中我们不期望的，高电感和阻抗，引起器件热特性和电特性方面问题的一些因素。由于可以双面散热，使用DirectFET器件可以使大电流DC-DC变换器的电流密度增加一倍而系统成本显著降低。

    DirectFET封装用于MOSFET芯片。硅片被装入铜外壳，封装的底部是经特殊设计的芯片，源极和漏极是可以直接焊到PCB板的表贴焊盘。硅片上适当的钝化使源极和漏极绝缘，在器件被焊到PCB板上时它也起到阻焊膜的作用，防止短路。此钝化层也保护了管脚防止门极区域污染及潮气。铜壳从芯片的另一侧引出漏极到线路板。此封装省掉了传统的管脚框架和引线键合，将封装阻抗（DFPR）降低至仅0.1mohm而标准的SO-8封装为1.5mohm。

    大面积接触铜外壳，与SOIC的塑料封装相比，它显著改善了散热能力：结果PCB的热阻减小到1°C/Wmax，而标准的SO-8封装为20°C/Wmax。铜壳即是一个散热器外壳，也将结壳热阻改善到3C/W，而SO-8为18C/W。再加上散热器和风冷，DirectFET封装可以从顶部散掉更多的热，与SO-8方案相比，降低结温达50，有效的顶部冷却意谓着线路板上的热可以更多地被带走，以增加器件的安全载流能力，而高的顶部热阻解释了为什么SO-8及其派生封装只能单边的通过PCB板散热的原因。