高清游戏多面手 映泰"超节能"H55测试

▲ 第一个2.5——2.5倍散热效率

    由于DirectFET的优秀电气性能，所以使用了这种MOSFET的量子芯技术产品的散热效率都要比传统SO-8方案产品的散热效率要提高2.5倍以上。

多种散热方式搭配灵活

搭配了DirectFET技术之后的MOSFET的整体散热都有非常明显的提高

▲ 第二个2.5——2.5倍供电效率

    逐渐提高的处理器频率意味着对主板供电越来越高的电流需求，    随着处理器频率的提升频率越来越快，主板在处理器供电的方面越来越受到用户和厂商的重视。在极限超频的环境下，处理器对于主板供电的要求更是相比普通用户上升到了更高的档次，而对于满足更大供电要求，很多主板厂商采用了堆料的解决方式。

    在满足极限超频供电18A高电流需要的情况下，如果用最好的单面散热SO8封装MOSFET，每相供电要用5个左右，所以这也就解释了料是怎么堆起来的了。

    而采用双面散热的量子芯供电芯片贴片MOS管只需2个就可以轻松满足，MOS管数量的减少不仅节省了大量的主板空间，而且在电流耗损上也相对传统技术有不小的减少。所以相对传统SO-8封装的MOSFET，量子芯供电的供电效率