高清游戏多面手 映泰"超节能"H55测试

▲ 废热损耗减少8倍，节能8倍

    普通的MOSFET使用引线键合来实现硅片和管脚框架之间的电连接，而量子芯，将接触面的数目和传导路径的长度减到最小从而减小了传导损耗。独特的封装提供了最优良的封装阻抗，仅为普通MOS损耗1/8左右,减少废热产生,节省8倍损耗电量。

SO-8和DirectFET电流通路比较

几种SO-8尺寸表贴封装与DirectEFT封装的DFPR值比较

    与典型的含铅的小型封装相比，DirectFET的热阻显著降低。在DirectFET封装里，结到电路板之间的热阻材料只有上面的金属和安装用的焊锡。SO-8的结到PCB的热阻(Rthj-pcb)大约是20°C/Wmax ，而同样尺寸的DirectFET封装只有不到1°C/Wmax 。

    到这里，映泰量子芯“2258”量子密码就介绍完了，那么除了“2258”之外，TH55XE还具备之前映泰的那些独有技术呢？