主PCB上的EMI滤波

    在主PCB上还有EMI电路，包含两个X电容，两对儿Y电容，一个差模电感，一个共模电感，一个保险管，两个浪涌吸收元件，这部分的配置比很多高端电源都要强，不过这些与性能无关，只是为了从各方面满足EMI的辐射测试。

整流桥

    整流桥采用两片新电元的LL25XB60，而且都安装在散热片上，虽然散热片略有些倾斜，但左右都上了安硅胶做了固定，每一片可以传输25A的电流，两片就是50A，超出额定功率非常多，这样做主要为了减少热损，同时对电源的寿命也有助益。

主电容

    PFC部分是3枚日化出品的420V，105℃，330uF的电容，并联一起等效990uF，对1000瓦这个功率来说，容值已经非常大了，接近1:1。

PFC开关部分

    PFC部分采用了两枚英飞凌的IPW60R099CP，600V耐压，31A的电流，非常大，最棒的参数是导通电阻值，只有99毫欧，一般的电源中这里基本都是200-400毫欧的，高端电源中也基本都是100多毫欧，如此低的管子确实不多见。

全桥开关

    在整流桥和PFC开关散热片中间的那一组散热片上有4个开关管，两个一组，两条臂上的开关交替导通，组成全桥结构，每个开关使用英飞凌的IPP60R190C6，650V耐压，可以传输20.2A电流，通态下典型组织190毫欧。

立式的小PCB处理得当

    由于主PCB布线空间的限制，PFC和LLC控制芯片都在独立的小PCB上，这些小PCB上都用塑料卡件和周围元件做支撑，这一点做工比较细致，不过能把他们集成在更大的PCB上或者主PCB上才是更好的解决方法。

滤波电容和散热片

    二次侧的散热片和其他电源完全不同，散热片和两层PCB的铜箔相连，伸出PCB，这里还有10枚日化的固态电容和几枚电解电容。

六枚日化的电解电容在这里

    没有电感的二次侧中我们只能靠堆电容来解决问题，这时对动态下的响应会有一定的影响，尤其是负载撤销的时候可能会更慢一些才能把电压调整过来。

12V输出的Mosfet

    12V输出的Mosfet都采用英飞凌最新的Optimos，BSC018N04LS，耐压40V，每一枚可以传输100A电流，导通电阻最高1.8毫欧，导通电阻如此之低也是因为耐压值很低，耐压60V的通态电阻很难这样低，海韵也是尽量控制变压器输出的，即便是尖峰也不超过40V。

    另外PG-TDSON-8的封装也比很多高端电源中的TO-220封装更能减少热损。所以海韵把他们设计到了PCB背部，用导热的胶贴覆盖，电源的外壳也能帮助12V输出的Mosfet散热。

电源的输出线材

    电源内几乎没有线材，接口可以分为上下两层，根据PCB上输出就近的原则把24PIN、显卡、CPU、SATA、PATA口分开，就拿下排接口来说，线材就是那些金属接线柱，比传统电源中10cm左右的线材要节省非常多的热损。

模组化接口板

    模组化接口板上还是有几根线，因为上一排接口上都是PATA和SATA口，也需要12V和GND，只不过没有CPU和GPU需求那么多，几根线引上去就够了，除此之外就是那几根信号线了。

3.3V和5V的输出

    电源的3.3V和5V由12V输入的DC-DC输出得到，其中的Mosfet采用了LFPAK的封装规格，海韵在各个方面都注意降低热损。其中DC-DC的控制器是APW7159，3.3V和5V各用3枚Renesas的RJK0332DPB，一上两下，每枚耐压30V，可以传输30A电流，通态电阻3.6毫欧。

电源PCB背部情况

    海韵的做工水准是有口皆碑的，这款电源其实制造工艺比较复杂，但是从PCB背部还是非常整洁，高压和低压侧分的非常明显，散热重点蘸锡量也很多。