省30%功耗 三星首款30nm制程DDR3芯片

    泡泡网内存频道2月2日 三星公司近日宣布他们已经成功制成了业内首款30nm制程 2Gb DDR3芯片。据三星公司表示，启用30nm制程后，DDR3内存芯片的产出率将比40nm制程提升60%左右，相比50/60nm制程的成本利用率则能 提升两倍左右。

    三星这种30nm工艺级DDR3 DRAM内存芯片的容量为2Gb，支持1.5V标准电压和1.35V低电压，相比50nm工艺级可节省最多30％的功耗，因此又称为绿色内存(Green DRAM)，另外相比40nm级别工艺量产效率可提高60％，相比50-60nm级别工艺更是可达两倍之多。

    三星30nm制程2Gb DDR3芯片的能耗相比50nm芯片下降了30%以上，这种芯片将被应用在从台式机，笔记本到服务器，上网本以及移动设备等应用场合上。三星这种30nm 制程芯片将于今年下半年投入量产。■