MSI Active MOS极速降温技术的秘密
随着Intel 新一代的LGA775的CPU推出，主板厂必须提供更高规格的电源线路设计，以符合Intel的严格要求。相对的，主机板上的组件散热将成为一个重要的课题。有鉴于此，微星科技做了许多的测试与实验，研发出一个概念非常简单的技术，可大幅降低主机板上的MOS温度，同时也能有效的让其它主要电子组件降温。
主板传统的MOS摆放设计，是将其金属面接触在PCB上，透过PCB以及PCB上的线路来帮助散热。这是属于被动的方式。而微星科技打破传统的方式，改采用主动的方法，让金属面翻转180度，直接面朝上安装散热片，透过散热片以及CPU的风扇来帮助散热，这样可以更有效的降低MOS温度，并且连带影响到其它组件，改善其特性，增加生命周期（Lifetime）。
传统的MOS设计，MOS的热会影响导附近的电子组件
新式Active MOS设计，散热片直接将热源散逸
透过CPU的散热风扇，也可以帮助MOS上方的铝片散热
PWM是CPU供电的核心部分，其在主板上的电路一般分布在CPU附近，而电源控制整合电路是VRM的核心。CPU在工作时，其耗电量处于很不稳定的状态，可能瞬间增大，也可能瞬间减小。而VRM绝不可能对这些突然变化在足够短的时间内做出响应，因此还需要电容来储存电能，用以处理这些突变。主板上所用的电容主要有电解电容和OS-CON电容。电解电容器容量大，可以用于滤除低频杂波，但品质较差且寿命短。OS-CON电容品质最好，它在主板上主要用来滤除中频杂波。每块主板CPU的插槽附近，都分布了许多大容量的电解电容，以便充分滤除CPU供电电流的杂波。
915P Neo2-platinum在CPU插槽附近皆采用日系OS-CON高级电容
电容：电容，顾名思义是「电荷的容器」。就像一般容器可以装水（或漏水），电容可以充电（charge）（或放电（discharge））。
MOS (MOSFET)：所谓MOSFET指的就是 金属─氧化层─半导体晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金氧半晶体管)，其结构就如同字面上的意义，是由金属、氧化层、及半导体叠在一起所构成的。
Active MOS的优势
1.延长电容的寿命
电容可是说是目前主机板最关键的电子组件，要提高它的寿命，除了选择好的电容之外，有效个控制温度也是十分重要的课题。举例来说，以业界最常用的电容寿命公式，L=Lo*2^((105-T)/10)，如果能让温度降低10度，就等于让寿命延长了两倍。Active MOS可以让MOS对电容的温度影响降到最低，让使用者远离爆电容的恶梦。
2.技术门槛低
Active MOS并不需要太复杂的技术，只是一个观念的转换，再配合微星科技独家的散热片DIP技术。也由于它的技术门槛低，因此可导入所有的产品线。不管是高档的旗舰板还是经济实惠的一般板，都能享受Active MOS所带来的好处，可说是完全替使用者着想的一个做法。
3.不须额外成本
在MOS上加入散热片，已经是目前主板产品的标准做法，Active MOS的优势在于完全的利用散热片，百分之80%以上的热源都能透过散热片逸去。而其它厂商为了加强散热效果，不计成本的做法，（例如加入导热管、额外的风扇，甚至是PCB上加入铝板），效果姑且不论谁好，相信多出来的成本，最后一定是转嫁到消费者身上。
915G Neo2 Platinum 915P Neo2 Platinum
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