手机存储速度翻倍 三星宣布eUFS 3.0闪存实现量产

　　2月27日，三星电子宣布开始大规模生产业界首款用于下一代移动设备的512GB嵌入式通用闪存(eUFS)3.0。根据最新的eUFS 3.0规范，新款三星内存的速度是之前eUFS 2.1的两倍，用户在使用APP时能够获取更好的读取速度，同时手机向其它设备传输数据时能够更快。

　　三星的512GB eUFS 3.0堆叠了该公司第五代512GB V-NAND裸片中的八个，并集成了高性能控制器。至于读写性能，三星表示其eUFS 3.0芯片连续读取速度可达2100MB/s，是现有eUFS 2.1芯片速度的2倍左右，SATA固态硬盘(SSD)的四倍，也是普通micro SD卡速度的20多倍。使高级智能手机能够在大约三秒内将全高清电影传输到PC上。此外，顺序写入速度也提高了50%，达到410MB/s，相当于SATA SSD的速度。

　　新内存的随机读写速度比目前的eUFS 2.1行业规范提高了36%，分别为每秒63,000和68,000输入/输出操作(IOPS)。随机读写的速度比一般的micro SD卡(100 IOPS)快630多倍，可以同时运行许多复杂的应用程序。

　　继本月发布的512GB eUFS 3.0和128GB版本之后，三星计划在今年下半年生产1TB和256GB版本，以进一步帮助全球设备制造商更好地实现未来移动创新。

　　参考:三星内部内存性能对比

　　*计算基于具有512GB eUFS 3.0的移动设备，把3.7GB 1080P的电影文件传输到具有非易失性电脑存储器中。