低电压优劣分析 1.35V DDR3-1600测试

    根据JEDEC的规范标准，通过提升硅晶圆芯片制造工艺而降低核心IO电压以提升性能的DDR3内存模组，会推出称作为DDR3L的低电压版本内存规范，新标准规定电压为1.35V，比较当前的1.5V标准还要低，这将会在绝大多数主流产品中节能20%。更低的电压意味着工艺更加成熟、功耗更低，甚至超频性能也会比普通内存要更加出色。

1.35V DDR3内存

    新低电压内存将会和当前现存的1.5V版本DDR3内存相互兼容，但前者并不会受到原有规范的制约，所有基于JEDEC规范的DDR3内存模组都会配备SPD（serial presence detect）芯片，该芯片EEPROM存储于SMbus之上，其中包括内存模组将提供给系统的容量以及模组特征信息，包括电压，因此系统就能够借此固件信息兼容支持最新的DDR3L内存模组。同时模内标签也做了相应变动：面向普通PC的常规产品是“PC3L”，面向嵌入式产品的则是“EP3L”。

    来自AMD公司的JC-42.3内存发展委员会主席Joe Macri表示，全新的低电压内存标准和整个业界有关于低功耗节能设计准则相吻合，为内存技术推进发展委员会还会继续就此方面进行论证和研究，未来不排除推出1.25V甚至更低电压的内存产品，而电脑系统的研发人员也会就此考虑采用更低能耗设计标准的产品。