谁都能玩的转！880G主板BIOS设置详解
1、MEMORY-Z 内存条SPD信息
这是查看内存条SPD信息的，有助于了解内存条SPD参数。这个选项是二级菜单，回车进入：
2、Advance DRAM Configuration 高级DRAM 配置
这是二级菜单，回车进入：
2-1、DRAM Timing Mode DRAM时序模式
这一项是设置内存时序，设置项有Auto、DCT0、DCT1、Both，默认是Auto。
Auto就是按内存条的SPD设置时序。DCT0/DCT1/Both是用户自己设置时序置。DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。
这是DCT0的时序参数设置：
CAS Latency（CL）：列地址选通潜伏时间，指的是在当前行访问和读一特定列的时钟周期。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存单元是按矩阵排列的，读写内存单元中的数据，首先是根据矩阵的“行”和“列”地址寻址的。当内存读写请求触发后，最初是tRP（Active to Precharge Delay：预充电延迟），预充电后，内存才真正开始初始化RAS（内存行地址选通）。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe行地址选通 ）开始对需要的数据进行寻址。首先是“行”地址，然后初始化tRCD（RAS to CAS Delay行地址到列地址延迟），接着通过CAS（列地址选通）访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大， 是JEDEC规范中排在第一的参数，CAS值越低，内存读写操作越快，但稳定性下降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。参数范围3-11。
tRCD（RAS to CAS Delay）：行地址到列地址的延迟时间，这是激活行地址选通和开始读列地址选通之间的时钟周期延迟。JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。参数范围3-10。
tRP（Row precharge Delay）：行地址选通预充电时间。这是从一个行地址转换到下一个行地址所需的时钟周期（比如从一个Bank转换到下一个Bank）。预充电参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。
但是该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定。参数范围3-10。JEDEC规范中，它是排在第三的参数。
tRAS(Row active Strobe)：行地址选通。这是预充电和行数据存取之间的预充电延迟时间。也就是“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。参数范围5-20。JEDEC规范中，它是排在第四的参数。
tRTP（READ to Precharge Command Delay）：读取到预充电命令延迟，这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间延迟。如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定。参数范围3-15。
tRC（Timing of Row Cycle）：行周期时间。这是从一个有效命令到下一个有效命令（或自动刷新命令）的总的周期时间。一般情况下tRC=tRAS+tRP。参数值小，系统运行很快，但不稳定。
tWR（Timing of Write Recovery）：写恢复时间。这是一个有效的“写”动作和bank预充电到数据能正确写入之间的时间。就是说在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWR虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。参数范围1-15。
tRRD（RAS to RAS Delay）：行选通到行选通延迟，也称为Row to Row delay。这是表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示在同一个内存模组连续的行选通动作或者预充电行数据命令的最小延迟时间。tRRD值越小延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。参数范围1-7。
tWTR（Write to Read Delay）：写到读延时。这个参数表示在同一内存Bank区写命令和下一个读命令之间的延迟时间。也就是在同一个单元中，最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。参数范围1-15。
tRFC（Refresh Cycle Time）：刷新周期时间，这个参数表示自动刷新“行”周期时间，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。参数范围30-110。
行刷新是按内存插槽进行的。所以tRFC参数有时又内存的DIMM槽细分为tRFC0（DIMM0的）/tRFC1（DIMM1的）/tRFC2（DIMM2的）/tRFC3（DIMM3的）。
tRWTTO（Timing of Read to Write）：数据从读到写转变时间。这是CAS读操作命令最后周期到下一个写操作命令之间的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。
tWRRD（Timing of Write to Read）：写到读时间。这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间，第一个虚拟CAS写突发操作到跟着的一个读突发操作的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。
tWRWR（Timing of Write to write）：写到写时间。这是从第一个虚拟CAS写突发操作的最后一个周期到跟着的一个写突发操作（这个改变是终端器允许的）的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。
tRDRD（Timing of Read to Read）：读到读时间。这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间，第一个虚拟CAS读突发操作到跟着的一个读突发操作的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。
以上介绍的17个参数值在DCT1和Both的参数设置中也是相同的。
2-2、DRAM Drive Strength DRAM驱动强度
这里是设置内存驱动强度，有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存SPD设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。下面以DCT0为例，看看驱动强度各项目的设置。
每个通道的信号驱动强度有7项：
CKE Drive Strength：时钟允许（Clock enable）信号驱动强度
设置值有Auto、1.0x/1.25x/1.5x/2.0x
CS/ODT Drive Strength：片选/内建终端电阻驱动强度
设置值有Auto、1.0x/1.25x/1.5x/2.0x
Addr/Cmd Drive Strength：地址/命令驱动强度
设置值有Auto、1.0x/1.25x/1.5x/2.0x
Clock Drive Strength：时钟信号驱动强度
设置值有Auto、0.75/1.0x/1.25x/1.5x
Data Drive Strength：数据信号驱动强度
设置值有Auto、0.75/1.0x/1.25x/1.5x
DQS Drive Strebgth：数据请求信号驱动强度
设置值有Auto、0.75/1.0x/1.25x/1.5x
ProcOdt：CPU内建终端电阻
设置值有Auto、240ohms/120ohms/60ohms
2-3、DRAM Advance Control DRAM高级管理
DRAM高级管理有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存SPD设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。下面以DCT0为例，看看高级管理各项目的设置。
每个通道的高级管理有6项。
DRAM Termination：内存芯片的片内终端电阻。从DDR2开始内存防止信号干扰的终端电阻放在芯片内。DDR3也是这样。这项是设置终端电阻的参数，设置参数有Auto、Disabled、75 ohms、150 ohms、50 ohms。默认是Auto。
DRAM Drive Weak：减弱DRAM驱动强度。设置参数有Auto、Normal、Reduced。Auto是让BIOS依据内存条自动设置。Normal是默认强度，Reduced是减弱驱动强度。
DRAM Parity Enable：允许DRAM 奇偶校验。奇偶校验是对内存读写是防止数据错误的一种方法。但允许奇偶校验会影响内存读写速度。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。
DRAM Self Refresh Rate Enable：允许DRAM自刷新速率。DRAM刷新就是充电，通过充电保持数据信号。自刷新是关闭系统时钟CKE，DRAM采用自己的内部时钟确定刷新速率。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。
DRAM Burst Length 32：DRAM突发模式的长度32。突发模式是系统对内存读写时一次连续读写。连续读写的长度有32字节和64字节。这项设置就是选择32字节，还是64字节。设置参数有Auto、64字节、32字节。默认是Auto。Auto就是由系统依据数据分布自动采用突发模式的长度。
Bank Swizzle Mode：Bank搅和模式。内存芯片内的存储单元是按矩阵排列的，每一矩阵组成一个Bank，芯片内的Bank有4 Bank、8 Bank等，一般中文称之为逻辑Bank。
内存芯片组成内存条后，也有Bank，一般以64位为一个Bank。通常一面内存的8颗芯片构成一个Bank。双面就是2个Bank。CPU和内存进行数据交换时以Bank为单位，一次交换64位数据，也就是通常说的“带宽”，双通道就是128位。这种Bank称之为物理Bank。CPU访问内存时先定位物理Bank，然后通过片选（信号）定位芯片内的逻辑Bank。
插在DIMM槽的内存条有1个或2个片选Bank，访问命令不管实际有几个片选Bank，都是覆盖2个。Bank Swizzle模式就是通过异或（XOR）逻辑运算，判定实际的片选Bank。设置参数有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交给BIOS和系统处理。Disabled就是禁止Swizzle模式，Enabled就是允许。Swizzle模式可以提高CPU的性能，但是会影响显卡性能。一般还是设置Auto为好。
2-4、1T/2T Memory Timing 命令周期1T/2T
这个选项也叫做“命令速度”，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。1T当然比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto就是依据SPD设置。
2-5、DCT Unganged Mode
内存通道控制模式。选择内存通道的控制模式，Ganged是一个双通道，128位带宽。Unganged是2个单通道，64位x2带宽。设置选项是Disabled（Ganged）和Enabled（Unganged）。默认是Enabled。Unganged模式和Ganged模式比较，Unganged模式比较好。
2-6、Bank Inter leaving
Bank交错存取。内存bank 交错存取可以让系统对内存的不同bank同时存取，可以提升内存速度及稳定性。设置值有Auto和Disabled，默认值是Auto(开启交错存取)。
2-7、Power Down Enable
设置为Enabled后，增加Power Down Mode选项，选择Channel模式和Chip Select模式。
2-8、MemClk Tristate C3/ATLVID
3、FSB/DRAM Ratio 前端总线和内存倍率
默认设置是Auto，自动识别内存条的SPD，设置内存频率。回车可以手动设置。
倍率设置有Auto（默认）、1:2/1:2.66/1:3.33/1:4。AMD的FSB=200，1:2=DDR3 800，1:2.66=DDR3 1066，1:3.33=DDR3 1333，1:4=DDR3 1600。
如果FSB超频，就要按FSBx4计算。这里说的DDR3频率是数据传输频率，不是内存时钟频率，如果按时钟频率，应该除2。比如DDR3 1600的时钟频率是800MHz。
AMD不支持XMP技术，因为XMP的版权是Intel的。XMP1600的内存用在8系列AMD主板上，只能通过设置FSB/DRAM倍率设置到1600，或者FSB超频。
小知识：内存时序参数知识
1、内存芯片内部的存储单元是矩阵排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址标识一个内存单元。
2、内存寻址就是通过行地址和列地址寻找内存的一个存储单元。系统发出的地址编码需要经过地址译码器译出行地址和列地址，才可以对内存读写。
3、内存芯片是易失性存储器，必须经常对内存的每个存储单元充电，才可以保持存储的数据。读写前要先对选定的存储单元预充电（Pre charge）。
4、对内存的存储单元读写前要先发出激活（Active）命令，然后才是读写命令。
5、CL-tRCD-tRP-tRAS这4个参数是最重要的。内存标注的也往往是这4个参数。
上面是JEDEC的内存时序参数标准值。从表中可以看到DDR3-800/1066/1333/1600内存规格中，每种规格又按时序参数分为若干种。比如1333的有7-7-7/8-8-8/9-9-9/10-10-10，1600的有8-8-8/9-9-9/10-10-10/11-11-11。因此购买内存时请注意，不要只看DDR3 1333，或者1600这种速度指标。还要看参数指标。比如有些DDR3 1600的内存条，其实就是DDR3 1333的，因为DDR3 1333 8-8-8的内存条，时序改为9-9-9，就可以超频到1600。同样DDR3 1333的7-7-7，如果参数设置为8-8-8速度就可以超频到1600。所以DDR3 1333和1600没有明显的界限。购买1600内存，最好看看时序参数。
关注我们
