1瓦1元80PLUS金牌！全汉战神900评测

    二次侧的元件很密，能全部看到所有元件是不可能的，即便你用小改锥不惜弄坏电源翘着看也不行，不过大概还是能猜到。12V输出采用同步整流，一共8枚英飞凌的IPP041N04N Mosfet，40V耐压，80A过流能力，4.1mΩ，还有几枚肖特基管。同步整流的控制器是独立的，在靠近二次侧散热片附近还有一个子PCB，不过芯片型号冲内，看不到。

这里有幸拍到一颗

    虽然IPP041N04N是TO220-3的封装，但为了提高转换效率全汉竟然把引脚截得很短，而且这样做的不止Mosfet，连输出的肖特基也做了这样的调整，由于采用同步整流输出12V的电源都会有超级富余的功率余量，所以这部分的余量我并不会太惊讶。

5V输出肖特基

3.3V和5V输出

线材根部处理

    线材根部的处理是区分大厂小厂的一点，各位现在所看的就是典型大厂的做法，既套了热缩管，而且线材根部也用金属箍固定好，这种线材在还没过锡炉时是可以用手把整张电源提起来左右摇晃不会脱落的。

二次侧电压反馈

二次侧监控PCB背部做工

    二次侧的滤波用料非常足，五颗3300uF的电容和3颗470uF的固态电容给12V滤波，四颗3300uF的电容三颗2200uF的电容给3.3V和5V滤波。不过从纹波抑制的测试结果看，这么强的电容阵也没有把纹波控制的非常小。补充一句，二次侧滤波的电容均是Teapo的，台系知名品牌。

PCB背部做工

    全汉的工艺没的说，不论是表贴工艺还是波峰焊都很精细，而且没有任何手工痕迹，PCB的清洁程度也很好。看过了这款电源的内部我更加疑惑了，这颗电源在800瓦金牌电源中用料都属于上乘（除了二次侧电容外），而且由于很多细节需要牵扯更多步骤的加入也会导致量产的速度降低，为什么价格可以订那么低？