Rambus再举屠刀 DDRⅡ GDDR难幸免

    最近几年，Rambus在业界的口碑似乎有每况愈下的趋势。自从上世纪末联手Intel靠RDRAM反攻全球内存市场的计划失败之后，Rambus就走上了依靠专利、诉讼、收取权利金过活的日子。

 Infineon、Hynix、Nanya和Inotera
再度被Rambus专利诉讼的阴影所笼罩

    美国东部时间2005年1月25日，Rambus在北加利福尼亚州地方法院再度对内存供应商提起诉讼，指控现代（Hynix）、英飞凌（Infineon）、南亚（Nanya）及其子公司华亚半导体（Inotera Memories）涉嫌侵犯该公司在DDRⅡ、GDDR2和GDDR3等方面的总共18项专利。

 Infineon已经推出了2GB DDR2内存模组

    在公司的新闻稿中，Rambus高级副总裁John Danforth表示：“由于市场分析公司预计今年DDR内存的市场将快速迁移至DDRⅡ和GDDR，并且在公共纪录中已经出现了侵犯我们专利的有力证据，因此我们选择在今天采取这一步骤，在美国境内提起本公司自2000年8月以来的第一场专利诉讼。”

 Hynix推出的1GB DDR2 SO-DIMM内存模组

    “我们倾向于和所有半导体业者合作以创造价值，并通过其他途径解决这类问题。但有时候，和其他专利所有者一样，我们必须依靠法律系统来确保我们的发明获得公平的补偿。”

 南亚（Nanya）也推出了自有品牌DDR333内存模组

 采用三星颗粒的DDR2-533内存模组

    在其他的新闻报道中John Danforth指出，尽管内存产业的龙头老大三星电子（Samsung）曾经和Rambus签署DDR内存专利的授权协议，但协议授权的范围并不包括DDRⅡ，言下之意，三星很可能成为Rambus的下一个目标。美国当地的内存巨头美光（Micron）由于和Rambus另有一场官司正在进行中，因此昨天也幸免于难，但长期看来恐怕也是“在劫难逃”。<