代号Flashbolt 三星发布HBM2E存储芯片

　　引自hkepc的消息。三星近日发布了代号为“Flashbolt”的HBM2E存储芯片，HBM2E单颗最大容量为16GB，由8颗16Gb的DRAM颗粒堆迭而成，单个封装可实现16GB容量，最高可提供3.2Gbps的稳定数据传输速度。预计全新的HBM2E存储芯片将在今年上半年开始量产。

　　三星在2019年3月曾宣布成功研发了业界首款符合HBM2E规范的存储芯片HBM2E是HBM2的升级版标准，HBM2的最大数据传输速度可达2.4Gbps，在此之前使用HBM2存储芯片的显卡包括有AMD Radeon VII及NVIDIA Titan V，其中Radeon VII的显存位宽为4096bit 、频宽最高可达1TB/s，至于Titan V的显存位宽为3072bit、频宽也达到了653GB/s。

　　至于JEDEC(国际固态技术协会)最新发布的第三版HBM2E标准“JESD235C”，HBM2E存储芯片的电压依旧保持在1.2V，不过其针脚频宽提高到3.2Gbps，较前一代2.4Gbps的最大数据传输速度提升33%。按照JEDEC给出的设计规范，单Die最大可达2GB、单堆迭12Die能达到24GB的容量，将其配备在支持四堆迭的显示核心上，便可为显卡提供1.64TB/s的总频宽。

　　有意思的是，“JESD235C“标准中仅仅制定了正常工作状态的电压，并未对全新的HBM2E电压的做出任何的限制。因此，三星可以为自家的HBM2E存储芯片加入“超频”的特性，这样可以实现不小的提升空间，为显卡提供更高的频宽。

　　全新的HBM2E记忆体“Flashbolt”采用三星1ynm制程工艺，单颗最大容量为16GB，由16Gb的单Die通过8层堆迭而成。三星官方介绍说，全新的“Flashbolt”在频宽上面有比较明显的提升，在默认的3.2Gbps下，单颗HBM2E就可以提供高达410GB/s的频宽，1秒内便可传输82部 Full HD (5GB)全高清画质的影片。

　　至于三星内部测试自家全新的“Flashbolt”存储芯片，在“超频”后可以达到最高4.2Gbps的传输速率，频宽更高达538GB/s，比上代产品高出75%。

　　按照三星官方的说法，全新的HBM2E存储芯片将会在今年上半年开始量产，特别适用于HPC高性能运算系统，并可帮助系统制造商及时改进其超级电脑、AI驱动的数据分析以及最新的图形系统。