英特尔QLC 3D NAND固态硬盘生产量突破1000万块

　　引自techpowerup的消息。英特尔QLC 3D NAND固态硬盘的生产量目前已突破1000万块。这种产品于2018年底开始生产，这一里程碑的生产量已让四级单元存储器(QLC)逐渐成为了大容量固态硬盘的主流技术。

　　英特尔SSD战略规划和产品营销总监Dave Lundell表示：“许多公司都在谈论QLC技术，但英特尔已经大规模制造了它。我们看到了对独立QLC固态硬盘(Intel固态硬盘660p)的性价比以及Intel Optane Technology+QLC解决方案(Intel Optane Memory H10)性能的强劲需求。”

　　以下是一些与这一成就相关的事实:

　　Intel QLC 3D NAND用于Intel固态硬盘660p、Intel固态硬盘665p和Intel Optane Memory H10。

　　Intel的QLC驱动器每个单元有4位，并以64层和96层NAND配置存储数据。

　　英特尔过去十年一直在开发这项技术。2016年，英特尔工程师将已经被证实的浮栅(FG)技术方向改为垂直方向，并将其集成在GAA架构当中。三级单元存储器(TLC)技术可以存储384 Gb/die。在2018年，3D QLC闪存成为现实，它具有64层，每个单元具有4位，能够存储1024 Gb/die。在2019年，英特尔升级到96层，这样在存储芯片面积不变的情况下，能够集成更多的存储单元。

　　QLC现在是英特尔整体存储产品组合的一部分，该产品组合包括客户端和数据中心产品。