三星发布30纳米DDR4内存！能兼容DDR3

    泡泡网内存频道1月5日 目前三星DDR4内存模组已经进展到30纳米制程级别，频率上升到2133MHz，电压1.2v，并且采用三星的POD（pseudo open drain）节能技术。借助POD技术，三星DDR4内存所需电流仅为当前DDR3模组的一半。