30纳米内存已发布 近期内存消息汇总

    目前三星DDR4内存模组已经进展到30纳米制程级别，频率上升到2133MHz，电压1.2v，并且采用三星的POD（pseudo open drain）节能技术。借助POD技术，三星DDR4内存所需电流仅为当前DDR3模组的一半。

    三星官方预计会发布频率1600MHz—3200MHz的DDR4模组，兼容当前DDR3，颗粒方面则是4 Gbit规格版本，面向主流消费市场。