平板电脑崛起:内存的末日 闪存的辉煌

    2011年三星、东芝、新帝和美光3大阵营都有新厂加入营运的计划，其中美光合作伙伴英特尔(Intel)虽然拒绝再玩，但美光可不愿意错过这次嵌入式闪存崛起机会，趁机持续扩大市占率，让美光全球老三的宝座愈坐愈稳。

内存条

    三星在2010年上半就宣布巨额资本支出计划，其中在半导体事业部门的投资金额高达9兆韩元(约新台币2,352亿元)，除了50%投资是用在DRAM制程升级外，另一项最重要的计划就是兴建月产能高达20万片的Line-16新厂。

闪存颗粒（PCIE接口SSD）

    三星Line-16新厂设备可生产DRAM、NAND Flash或相变化内存(PCM)，市场认为保留一定产能给NAND Flash是必然的策略，估计2011年底前Line-16厂房NAND Flash产能，至少可达5万片水平。

    此外，三星也会让部分8吋晶圆厂产能退役，以及Line-15厂房有机会再增加部分NAND Flash产能，整体而言，三星目前单月NAND Flash产能约30万~32万片，预计到2011年底NAND Flash产能可望增加至35万~40万片(换算成12吋晶圆)。

    东芝和新帝12吋晶圆厂Fab 5也预计，2011年4月将开始进机器设备，预计个别公司单月产能将至少达3万~4.5万片。

    美光方面，2010年独自宣布启动新加坡厂扩产计划，虽然不见策略联盟伙伴英特尔的参与，但美光2010年底已完成机器设备装置，公司订立的目标是2011年底达单月产能10万片，而此座厂房的满载产能为20万片水平。

    此外，过去几年因为NAND Flash制程转进不顺，加上8吋晶圆厂退役后，没有大幅新产能加入下，导致市占率一直衰退的海力士(Hynix)，一直将重心放在DRAM产业上，全力巩固其DRAM老二宝座，因此在NAND Flash产业上，气势显得较为沉寂。

    海力士在NAND Flash产业上虽然没有宣布大型扩产计划，但旗下还有一座M12厂房已盖好，只是机器设备未移入，不论未来是要扩产DRAM或是NAND Flash产能，未来产能扩充都保持弹性空间。