三星将率先用70nm制程，量产NAND闪存

　　根据南韩联合通讯社15日的报导，三星电子将在今年3月，率先采用70奈米制程量产NAND型快闪记忆体，并在今年7月启用快闪记忆体专用厂－Fab 14厂（第三座12寸晶圆厂），以强化其在NAND型快闪记忆体领域的主导权。

　　南韩业界相关人员表示，三星电子将在下个月于NAND型快闪记忆体量产线，采用70奈米制程量产4Giga NAND型快闪记忆体，以此夸示其在奈米制程领域的领先地位。

　　他还表示，目前三星电子在NAND型快闪记忆体的生产上，采用90奈米级以下制程的比重已拉高到九成。三星电子还计划在今年第二季，将采用70奈米级制程技术的比重，由今年第一季的5％提高到10~15％。

　　同时，三星电子将在今年7月启用器兴Fab 14厂。Fab 14厂初期将月投7千片12寸晶圆，并计划在今年年底提高到1.5万片，未来则将扩大到5万片。 相较于90奈米制程，采用70奈米制程除可增加40％左右的产量外，并可大幅降低生产成本。

　　目前三星电子于Fab 7厂与Fab 8厂生产NAND型快闪记忆体，预期在启用Fab 14厂后，其NAND型快闪记忆体产量将大幅增加。

　　此外，三星电子去年在NAND型快闪记忆体领域的营收达35.3亿美元，较2003年大增66.2％，并占有全球55.7％的市场。 预期今年NAND型快闪记忆体市场规模将首度超越NOR型快闪记忆体，并在2006年扩大到107亿美元。

　　另外，与意法半导体（STMicroelectronics）策略结盟，并在去年2月成功开发出512M NAND型快闪记忆体的Hynix Semiconductor，亦在去年第三季将清州M9 Line转换为NAND型快闪记忆体专用生产线。Hynix计划在今年将NAND型快闪记忆体生产比重，由去年第三季的7~8％提高到15％左右，并考虑视市场需求，于预定在明年启用的中国合资厂生产NAND型快闪记忆体。

　　Hynix扩产NAND型快闪记忆体，目的在于降低对DRAM的依赖度。去年Hynix在NAND型快闪记忆体领域的市占率为3.5％，居全球第四位。