内存之路在何方？DDR4代最新技术解读

    内存或许并不是很多玩家特别关心的内容。和显卡、主板等差异化较大的市场相比，内存市场由于有着强大的JDEDC把持，并且产品本身形态较为单一，因此各家产品性能和设计差距都不太大，同质化现象较严重。不过，同质化并不意味着发展速度慢，相反，也正是由于有了统一的JEDEC规范，内存一直按部就班地发展着。DDR4内存的消息最早出现在2007年，JEDEC展示了它们对未来DDR4内存发展的一些思考。在当时的新闻中，实验性的内容相当多，因此对最后内存规格的影响并不太大。如今，三年时间过去，DDR4内存再次浮出水面。这次我们看到了很多详细的内容说明，包括DDR4内存总线的变化以及频率、电压、工艺等相关问题。

从DDR3的多点总线到DDR4的点对点技术

    根据多位半导体业界相关人员的介绍， DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号( 传统SE信号)的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于DifferentialSignaling( 差分信号技术 )技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。感觉似乎又要回到当年DDR内存与RAMBUS内存分庭抗礼的情形了。

    金邦曾透漏：承袭以往内存产品的发展走向，DDR4内存不外乎朝着高容量、高频、低功耗发展。它的规格可能在DDR4 2133～DDR4 4266，工作电压也将下降至1.0V～1.2V左右。这意味着DDR4内存在如此高频率、低电压的条件下运行，将需有更好的外部硬件设备来配合，否则容易造成内存数据遗失现象，以及消费者常遇到的兼容性问题。

　　依据目前JEDEC公布的数据看来，DDR4内存的每个内存信道只会支持一条内存模块，内存控制器将采用点对点技术，将取代目前DDR3内存采用的多点总线技术。如此一来，系统内存条的数量和容量都将受限制。因此在考虑如何增加系统内存数量与容量方面，将是DDR4内存后续生产在技术和成本方面需要重点考虑的地方。