内存之路在何方？DDR4代最新技术解读

    为了解决这些问题，开发人员提出了两种解决方案：

    方案一：多层DRAM IC

多层DRAM IC

    让DRAM厂商借助硅穿孔(TSV)技术和多层制造工艺，大幅提高单个内存颗粒的容量。这种方法的代价是对DRAM生产技术提出非常高的要求，致使内存价格狂飚几乎是可以预见的。同时用户也会比较麻烦，为了提高多通道性能必须在升级时同时替换所有内存条。DDR4会尝试使用硅穿孔(TSV)技术来提升容量密度。

    比如普通单层封装可以制造单条容量8GB的内存，四层封装就可以让容量翻两番到32GB，八层封装则可以达到64GB的惊人容量。不过这对生产工艺要求很高，良品率在短时间内很难得到保证。因此很可能会大幅度提高内存的成本和销售价格，对DDR4的推广来说是非常不利的。

    方案二：多内存共用通道

DDR4可能会在服务器上使用切换开关来扩大每通道容量

    Digital Switch数字开关

    芯片厂商还可以设计一颗“Digital Switch数字开关”起到“桥”的作用。这颗“桥芯片”一边连接内存，一边连接内存控制器。它连接内存的一端，类似传统的多点分支总线的作用，将很多内存的容量扩展相加，实现高容量；连接内存控制器的一端则固定位宽。内存控制器不会在意连接的设备是什么，它只需要连接在总线上的设备达到要求即可。DDR4内存控制器会将“桥芯片”和多条内存看作一整个大容量的内存，从而实现正常运作。

    不过额外添加桥接芯片的方式也有自己的问题。额外桥接会导致性能损失、延迟变大，并且桥接芯片是否能完整保障每个内存的兼容性，桥接芯片对总的内存传输带宽不会有显著的提高，内存容量则可以成倍提高，其设计原理和多层DRAM IC类似，不过就是减少了内存所需的带宽布线，但传输的数据也不如多层DRAM IC多，桥接芯片可能采用的是分时复用或者是动态分配，那样的话设计成本会增加非常多，而且在高速传输过程中可能会影响传输性能，这都将是未来研发的重点。

    在服务器领域，如果多层DRAM IC方式不适合，那只能在主板上做手脚了。比如可以在主板上安装特殊的控制器，允许多个内存条工作在同一内存通道内。这样做的后果也有很大的潜在问题，比如增加了主板的制造成本和技术要求、限制了内存性能发挥，另外还会造成潜在的兼容性问题。DDR4可能会在服务器上使用切换开关来扩大每通道容量。