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震后NAND Flash上涨 预计2季度会改善

    泡泡网内存频道3月31日 市场调查机构DRAMeXchange 30日发表NAND Flash调查报告,指NAND Flash 3月份上旬合约价虽然没有因日本地震影响而出现上涨,但下旬合约价却因受灾地产生短缺消息浮现而出现上涨,其中3月份主流MLC NAND Flash合约均价上涨约达5-15% 。

震后使NAND Flash 3月合约价上涨预期第2季情况改善 将可能出现回软

    其中,3月份主流的MLC NAND Flash合约均价上涨约达5-15% ,但TLC合约均价却出现10%跌幅,主要原因是供货商对其2xnm TLC新产品采取了优惠定价策略,刺激内存卡及UFD客户增加采购。
 
    展望第2季市场预期,NAND Flash需求仍会受到供应不明朗因素影响,其中据DRAMeXchange预期,因应Toshiba与SanDisk合资的四日市厂房晶圆投片产量降低,加上第2季硅晶圆供货可能吃紧等因素,预期第2季Toshiba与SanDisk合资的四日市厂房的减产量将占总产品10%或以下。

    另一方面,就占全球硅晶圆约20%左右的产出量的信越化学的白河厂停工的影响,由于目前仍没有明确的复工进度,预期对NAND Flash原料供应仍有影响,但由于目前NAND Flash厂仍拥有一定的库存水位,加上对硅晶圆采购应已制定后补方案,因此预期在5月底前尚不会影响到业者NAND Flash的生产计划。不过,假如硅晶圆供给持续吃紧,厂商仍需要于硅晶圆运用配置上作出加强调整,并观察NAND Flash市场后续的供需发展状况。

    需求方面, 预期第2季记忆卡及UFD通路市场仍将受传统淡季效应影响,加上日本大地震后NAND Flash下游终端应用产品仍因限电、原材料短缺或检修设备而停工,因此部份终端产品销售量可能不如原先预期的状况,预计在5月中前尚不会影响到业者维持正常的生产计划,但却需要寻找及测试可行的替代组件,以做为后期的生产应变备用方案。同时,NAND Flash终端产品的销售量也可能因地震后购买意欲而减低销售量。
 
    此外,DRAMeXchange也表示,目前日本灾区的交通基础设施已逐步复元中,而且灾区的相关问题也可望 能尽快地获得改善,加上日本正在进行重启部份备用火力发电厂以及夏季电力供应配置等应急计划,以减少短中期限电因素对其国内生产的影响程度,因此预期第2季NAND Flash市场的供给及需求量可能只出现小幅地减少,在3月份NAND Flash合约价上涨过后,4月份NAND Flash市场合约价格可望维持大致稳定,随着日本东北及关东限电情况逐渐获得改善后,预期NAND Flash于第2季中将出现淡季走软。■

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