尔必达发布30nm 4Gb DDR2 Mobile RAM

    泡泡网内存频道4月7日 尽管受到地震影响,一些工厂出现停工现象，但日本存储芯片大厂尔必达的新品发布进程并未受到影响。今天，他们发布了针对智能手机、平板机的新款移动存储芯片产品，基于30nm工艺的DDR2 Mobile-RAM。

    新款Mobile-RAM单颗容量为4Gb（512MB），频率DDR2 1066MHz，电压1.2V。相比40nm 2Gb产品，新品30nm 4Gb颗粒的功耗下降了30%，占用PCB空间也随之下降。

    新品4Gb 30nm DDR2 Mobile-RAM将使用PoP或FBGA封装，也可向客户提供裸版芯片用于MCP多芯片封装。MCP形式下可提供4Gb、8Gb、16Gb容量。预计该芯片本月内可出货样品，6月份投入量产。■