Intel、镁光联合开发出20nm闪存工艺

     20nm工艺依然由Intel、镁光联合投资的IM Flash Technologies(IMFT)负责制造，可以生产出容量达64Gb(或者说8GB)的MLC NAND闪存颗粒，而且核心面积仅仅118平方毫米，相比25nm 8GB NAND闪存减小30-40％。

    Intel宣称，闪存工艺从25nm进步到20nm之后，所能提供的容量可比现有34nm工艺增加大约50％，同时20nm工艺闪存颗粒的性能和耐用性仍会维持在与25nm类似的水平上。

    IMFT 20nm 8GB NAND闪存颗粒已经试产，预计2011年下半年投入量产。届时，Intel、美光将会一方面拿出容量翻番的16GB颗粒，另一方面公布面积跟一张邮票差不多大小的128GB固态硬盘。■