东芝Intel发布全球非常先进19nm NAND

   泡泡网内存频道4月22日 就在上周，英特尔与镁光（IMFT公司）宣布其最新的20纳米NAND工艺技术，今天东芝透露，它已经生产采用19nm技术NAND闪存芯片。

    东芝的19nm NAND采用每单位双位元结构，单颗芯片可达64Gb（8GB），号称是“世界上最小”，因此至需要118 mm2就可以达到IMFT的20nm 8GB NAND。

    采用19nm 8GB闪存芯片将于本月底开始取样，计划在第三季度进入批量生产。 IMFT公司将于2011年下半年开始20nm量产。

   东芝的19nm NAND闪存将加强与改进DDR2.0技术，以提供更高的传输速度。该公司计划推出19nm的NAND的8GB单芯片以及多模（堆叠）芯片的容量将达到128GB。

   东芝的NAND合作伙伴，SanDisk公司今年晚些时候开始提供19nm NAND闪存。■