Intel发明3D晶体管技术 22nm工艺采用

    Intel3D Tri-Gate晶体管机构技术的实现，使得单位面积内的晶体管数量得到极大的提高，以往芯片受限于面积限制而无法设计更高性能的产品将不会存在了。

22nm 3D Tri-Gate实物图

22nm 3D Tri-Gate晶体管模型图

    3D Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极，其中两侧各一个、顶面一个，用于辅助电流控制，而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的，晶体管可以更加紧密地靠在一起，从而大大提高晶体管密度。

3D Tri-Gate晶体管结构的优势

    这种设计可以在晶体管开启状态(高性能负载)时通过尽可能多的电流，同时在晶体管关闭状态(节能)将电流降至几乎为零，而且能在两种状态之间极速切换。Intel还计划今后继续提高硅鳍片的高度，从而获得更高的性能和效率。