Intel发明3D晶体管技术 22nm工艺采用

    我们知道移动芯片严重的依赖功耗和体积，Intel 3D Tri-Gate将会在未来应用到这一领域。

    相对于传统的2D晶体管结构，晶体管的数量将得到较高提升，我们印象中的嵌入式芯片的性能将媲美传统处理器。而移动设备的续航时间也会随着芯片功耗的降低得到提高。

    在新的3D Tri-Gate晶体管架构的带动下，移动设备将迎来新的黄金发展时期，技术的更新速度将明显加快，同时将会有越来越多的产品面世，届时整个行业将会出现欣欣向荣的局面。