3D晶体管公布 22nm制程IvyBridge采用
泡泡网CPU频道5月6日 北京时间5月5日，Intel在北京正式发布了最新的3-D晶体管技术，宣布在半导体工艺领域取得了革命性突破。Intel技术与制造事业部亚洲区发言人兼Intel半导体大连总经理柯必杰到场，为大家详细讲解了3D晶体管的作用和Intel的22nm制程技术。
传统晶体管通过栅极的开关，来实现对电流的控制，Intel称之为2D晶体管。在工艺发展到22nm制程时，Intel认为，如今晶体管面积缩小已经面临极限，必须在设计上有所突破。
传统晶体管栅极控制示意图
黄色部分代表电流通过的“流路”
3D晶体管主要是将电流的“流路”3D化，栅极开关基本不变，主要是部分3D化。所以并非是讲传统二维空间里的晶体管三维化发展、得到更多晶体管数量。3D晶体管主要是为了对电流有更好的控制，从而达到更高的性能和更低的功耗。
在新的结构中，可以看到传统的二维“流路”已经被3D化的鳍片“流路”代替，在三个方向让电流通过。从而实现在“开”的状态下让更多电流通过，在“关”的状态下尽可能让电流接近0。
三栅极的3D晶体管将会在Intel 22nm制程工艺中采用，率先应用到代号为Ivy Bridge的下一代CPU中。
Intel近10年制程工艺的发展
3D晶体管放大演示图
我们看到的3D晶体管主要是半导体制程方面的技术，那么应用到实际的产品上，对用户而言有什么意义呢？Intel客户端平台部经理张健为我们诠释了3D晶体管带来的意义。
最重要的作用，其实可以归结为亮点：一是CPU低电压的性能大幅度提升，Intel公布的数据是比现有32nm晶体管提升37%；二是跟32nm相同性能的晶体管相比，耗电量只需要一半。
同时，3D晶体管还对控制成本方面非常有利，Intel公布3D晶体管的制造成本仅提升2%～3%。
从3D晶体管的两大特性：低电压性能提升37%、同比功耗降低一半，无疑可以看出是针对移动平台的特性。在笔记本和嵌入式应用领域都将发挥巨大的作用。不过，Intel并未将这种22nm的工艺率先应用于比如Atom平台，而是仍然首打Ivy Bridge的台式机和笔记本领域。
近看3D栅格
从这点上看，Intel奉行的一种比较稳健的策略，毕竟传统的台式机、服务器和笔记本CPU是Intel最主要的阵地。Intel的考虑可能是巩固这一领域的优势。
不过，此技术推出后，和竞争对手的差距，可能会进一步拉大。但是未来的一段时间，云计算和移动互联将会有更迅猛的发展。Intel对于云计算非常重视，推出了众多的解决方案。不过在ARM当道的移动互联领域，Intel一直没有什么太好的办法。
3D晶体管从性能指标来看，相当适合移动互联这一领域如手机、平板等。当然，正如Intel自己所说，制程工艺仅仅是一种基础，落实到实际的产品上，还需要各方面的条件来配合。如今的移动互联基本上是ARM的天下，X86架构要想杀入不仅仅是一个功耗和性能的问题，这方面我们继续等待Intel如何解决。
详细报道：Intel发明3D晶体管技术 22nm工艺采用■<
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