Toggle DDR2接口 三星研制快速NAND

    泡泡网内存频道5月13日 早在一年前三星和东芝就开始着手研发DDR2接口NAND，今天三星正式宣布，已经研制成功，并将在64Gb(8GB) MLC(multi-level cell)首次使用Toggle DDR2接口。

    另外这些NAND将采用20nm工艺制造，采用Toggle DDR2 64Gb NAND Flash较现在的SDR NAND Flash信息处理速度40Mbps快10倍，达400Mbps，也比处理速度133Mbps的Toggle DDR1高速NAND Flash快3倍。

    这些新的NAND将被应用到第四代智能手机和SATA 6Gbps SSD，三星极少新Toggle DDR2能够使得NAND速度更快，体积更小，相比20nm 32Gb MLC NAND可提高50%。■