三星公布内存路线图，DDR6内存将突破 10Gbps

　　10月9日消息，在近期，外媒 computerbase 发布了三星在Samsung Foundry Forum 2022的活动内容，在三星的这一次活动上，三星发布了旗下的内存技术路线图。

　　三星在Samsung Foundry Forum 2022提到，三星将在2023 年进入 1b nm 工艺阶段，内存芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度可达 6.4-7.2Gbps。而在显存方面，新一代 GDDR7 显存将在明年问世，英伟达和AMD的新显卡最快将可能在明年使用新的GDDR7显存。

　　三星也对外公布了其技术设想，根据三星给出的设想，三星将会在2026 年推出 DDR6 内存，2027 年即实现原生 10Gbps 的速度。