SK海力士官宣，已开发12 层堆叠 HBM3 DRAM 芯片

　　4月20日消息，在近日，SK海力士官方宣布，目前已经在全球范围内首次实现垂直堆叠12单品的DRAM芯片，成功开发出了最 高容量24GB的HBM3 DRAM芯片。

　　根据SK海力士官方的说法，此款12层堆叠的HBM3 DRAM芯片是既去年首款量产HBM3之后，再一次开发出内存容量比前一代产品增加50%的24GB封装产品。其采用了硅通孔（TSV） 技术以及工艺效率等方面的升级，将单个DRAM芯片厚度降低了40%，最终在前代16GB产品系统的封装厚度上，堆叠了12层共24GB的HBM3 DRAM。而目前此款12层堆叠的HBM3 DRAM芯片已经向众多的客户提交试验。