东芝窃Lexar商业秘密,赔偿3.8亿美元
2005年3月23日Lexar公司宣布经过六个星期后的诉讼,陪审团裁定日本东芝公司Toshiba Corporation (JP:6502)及东芝美国电子组件公司Toshiba America Electronic Components, Inc. (PNK:TOSBF.PK)违约及违反受托责任,并且恶性故意吞没及处理Lexar商业秘密,法庭经陪审团判决下令两被告公司陪赏Lexar公司3.8亿美元的损伤。陪审团得出结论:东芝和东芝美国电子组件的行为是压迫、欺骗或恶意的行为,因此陪审团支持对东芝和东芝美国电子组件的行为作出惩罚,在3.8亿美元损伤补偿之外另加“惩罚补偿”。惩罚补偿的金额将在之后依据证据和论据提出判决。
“这个法庭的裁定判决对闪存业是有极大的影响,然而Lexar公司非常感激陪审员对这诉讼花了这幺多的时间来了解一些技术上的困难问题,和考虑这幺多的证据。”Lexar行政副总裁兼法律总顾问Eric Whitaker 声称。“这案件的裁判确认了Lexar公司在闪存界的核心知识产权和贡献。这判决令东芝为其不法行为负责 -- 假意伪装与Lexar作长期战略合作,从而窃取Lexar最机密的科技,然后出卖背叛这信任,秘密地与Lexar的一个竞争对手成为伙伴。这判决向东芝发出一个清楚的信息,对Toshiba这种企业行为将不会容忍 -- 作为一个战略伙伴和董事局成员,东芝必需以最大诚信办公,而东芝在这方面的行为做法与标准相差太远。”
在这6个星期的诉讼期间,陪审团听到超过4,000 页陈词和审查了几乎400 个展示证据。 Lexar 的证据大部份是根据东芝自己的内部文件,而这些文件在诉讼之前是被东芝保密列为机要。 诉讼中证人包括 Lexar 的创建者 Petro Estakhri 和 Mike Assar,东芝高级行政人员 Hideo Ito, Yoshihide Fujii 和 Kiyoshi Kobayashi, 和SanDisk (Nasdaq:SNDK) 的首席行政官兼始创人 Eli Harari 和 SanDisk 高级行政人员 Sanjay Mehrotra 。"
东芝的陈词论据主要依靠一个解释:就是这争议的技术是由东芝独立地研发出来的。 陪审团否定了这个论据,对Lexar 公司在NAND闪存高科技,特别是高性能系统设计的发展有重要的贡献认同。 这些商业秘密包括Lexar 在闪存功能的重要发明,如平行为 (Parallel Write),内业复制 (Internal Page Copy),管道装置 (Pipelining),和超级组份 (Superblocks),这方面的发明都是明在多个Lexar拥有的美国和外国专利, 包括美国专利 U.S.Pats. 5,907,856; 6,034,897; 6,040,997; 6,081,878; 6,141,249 和6,374,337 。
余下的问题
在这案件中,根据加州商业和专利法例17200条,对东芝不公平竞争的起诉,并未给陪审元判决,而是将会由法庭决定。 Lexar 预期法庭将在2005 年4月13 日听证聆讯之后对那些控告及其它诉讼后的法律行动作判决。
根据陪审团的裁决,Lexar 将请求法庭下禁制令,禁止东芝在美国销售相关的产品。 Lexar 将要求这禁止令包括所有被发现包含Lexar 商业秘密的东芝产品,如东芝的大块和小块NAND 闪存芯片、东芝的CF卡、SD卡和xD卡产品。 禁制令期间的长度将由法庭决定; 在诉讼中,证供陈词里透露如需实行采取Lexar 商业秘密,需要18个月。 Lexar 预期法庭将在2005 年4月13 日举行一次聆讯,聆听Lexar 的要求。
专利案件
东芝侵犯超过10个Lexar专利案件正等待在联邦法庭诉讼。于1月,美国加州北区地方法院为这诉讼案件发布了一个论据架构的判决,在这案件快将移到陪审团前聆听审判,这判决将对案件有相当大的冲击。 根据美国专利法例,在一次法庭特别程序中,所谓Markman 听证聆讯中,控辨双方提出他们的论据,如何争论在诉讼中应该怎样解释和判决各条专利权利。 在这次Lexar与东芝作出的Markman 听证聆讯中,法庭接纳了数个对Lexar有利的关键解释,而坚决反对东芝数次企图避免侵犯Lexar专利的尝试。
Lexar 相信Markman 听证聆讯中,将判决肯定东芝违犯Lexar专利,在听证期间,法院解释认定了Lexar 6个专利14个论据,包括美国专利U.S.Pat.5,479,638 ''Flash Memory Mass Storage Architecture Incorporation Wear Leveling Technique;'' U.S.Pat.6,145,051 ''Moving Sectors Within Block of Information in a Flash Memory Mass Storage Architecture;'' U.S.Pat.6,397,314 ''Increasing The Memory Performance Of Flash Memory Devices By Writing Sectors Simultaneously To Multiple Flash Memory Device;'' U.S.Pat.6,202,138 ''Increasing The Memory Performance Of Flash Memory Devices By Writing Sectors Simultaneously To Multiple Flash;'' U.S.Pat.6,262,918 ''Space Management For Managing High Capacity Nonvolatile Memory;'' 及 U.S.Pat.6,040,997 ''Flash Memory Leveling Architecture Having No External Latch。'' "
专利案件的证据发现程序现在开始了。 Lexar 确信东芝违犯超过10个Lexar的82个世界专利,包括Lexar的美国专利U.S.Pats. 5,479,638; 5,818,781; 5,907,856; 5,930,815; 6,034,897; 6,040,997; 6,134,151; 6,141,249; 6,145,051; 6,172,906; 6,202,138; 6,262,918; 6,374,337 及 6,397,314 。 Lexar追究索赔损失,并且要求法庭下禁制令,命令东芝停止侵犯Lexar 的专利, 包括出售那些东芝产品,如闪存组合组件、闪存卡和数码相机。