存储要闻周报：DDR4露头SATA带宽翻倍

    在今年二月份的时候三星就已经量产了30nm DRAM颗粒，最后发布了全球首款单条32GB内存，今天三星又发布了一款新的单条32GB DDR3内存，同样是采用30nm DRAM颗粒，不过采用了全新的3D TSV(直通硅晶穿孔)封装技术，产品相比普通30nm DRAM内存功耗低30%。

    三星新款的32GB RDIMM（Registered DIMM）内存默认运行频率为DDR3-1333MHz，借助3D TSV封装技术，产品相对普通30nm的LRDIMM产品功耗平均低约30%，功率只有4.5W，三星表示新的32GB RDIMM是企业服务器用内存产品中功耗最低的产品。

    TSV封装可以使存储单元实现多层堆叠，相对单层容量可实现成倍提高，内部连接路径更短，芯片间的传输速度更快、噪声小、性能更好与单层封装技术的产品相当。三星旗下的高密度TSV封装RDIMM内存产品目前已进入试产阶段，不久后即可实现大规模量产。