狂奔128GB/s 镁光提出3D穿孔内存架构

    泡泡网内存频道8月26日 随着多核PCU进程的不断推进，内存的带宽也急需提升，在近日举办的Hot Chips大会上，存储厂商镁光展示了最新的HMC（Hybrid Memory Cube）内存技术，借助TSV多层穿孔技术，内存带宽可以提升到128GB/s。

    早在DDR4内存规划前夕，就有两种提升内存容量和速率的方法，而技术难度相对较高的TSV穿孔技术就有望成为服务器内存的一个优选，通过将多层DRAM叠加封装，然后借助TSV穿孔技术把所有DRAM连接起来，这样内存的速率可以得到成本的提升，而在单位面积DRAM下，内存的容量也得到了相应的提升。

多层DRAM的HMC架构

    采用TSV穿孔多层DRAM封装的内存除了高容量和速率外，还拥有普通单层内存不具备的节能特性，产品功耗有望下降到现有的1/10左右。

TSV穿孔技术

    值得一提的是在一周前举办的FMS 2011（Flash Media Summit 2011）大会上镁光也曾提出过新型3D NAND闪存架构，其原理和TSV穿孔的HMC基本一样，以实现容量和速率的翻倍成长，从而降低SSD的成本。■