映众发布首款DirectFET MOS GTX560Ti

    与SO-8相比，封装阻抗减少了90%以上，而封装电感也从SO-8时候的2nH减到了0.5nH，寄生效应明显减弱，这都为减少损耗提供了重要保证。

　　DirectFET MOSFET内部结构有异于传统的MOSFET。其漏极裸露的铜片通过两边的焊盘和PCB连接在一起，和PCB有很大的接触面积，利于传导电流。同时由于DirectFET外壳全部采用铜片，没有传统的塑料外壳，底部依然可以透过PCB散热，而顶部由于表层良好的空气流通性可以快速散热，实现双面冷却效果。

　　采用DirectFET封装的MOSFET，与硅片串接的阻性构件只有漏极夹片，裸片黏合材料阻抗仅为100微欧姆，使源漏极间的导通电阻小于2毫欧姆。相比之下，采用焊线连接的MOSFET的导通电阻要大很多，因此传统MOSFET产生的热量也要更大一些。

　　除此之外，DirectFET MOSFET在散热方面亦有不俗之表现。传统的MOSFET主要依靠底部或者顶部的金属垫将热量散发出去，但塑封壳包装，整体较厚，塑料的导热性能相对低下，因此主要的热量散发方式还是通过金属垫将热量传到PCB上，透过PCB上的铜箔以及背面的锡条散发出去。而顶部的塑封壳即使加上散热金属片，也受限于塑料外壳较差的导热性，效率比较低。

    而DirectFET封装由于封装薄，采用全铜外壳的原因，因此热量能够快速地向顶部和底部传导。底部依然可以透过PCB散热，而顶部由于表层良好的空气流通性可以快速散热，实现双面冷却效果，如果顶部加上导热垫和散热片，大量的热量将会通过散热垫和散热片快速地散发出去，散热性能更加出色。

　　从厂商给出的数据来看，采用DirectFET MOSFET的处理器供电电路转换效率可以达到85.83%，而一般电源方案的效率基本都在80%左右。而温度表现方面，同等条件下DirectFET MOSFET的温度也要比传统的MOSFET低10℃以上。

　　由曝光的这款映众（Inno3D）GTX 560Ti不难看出这还是一张工程样卡。据映众（Inno3D）消息人士透露，由于使用这种DirectFET MOSFET需要重新设计PCB，映众（Inno3D）将在随后的冰系列系列新产品上使用这种高效的DirectFET MOSFET，让我们一起拭目以待吧!■<